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[主观题]

在CMOS反相器中,为了保证输出达到合格的逻辑电平,必须使输入脉冲信号的脉宽大于反相器的上升时间和下降时间中较大的一个。

提问人:网友zzb2007 发布时间:2022-01-07
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第1题
在CMOS反相器中,为了保证输出达到合格的逻辑电平,必须使输入脉冲信号的脉宽大于反相器的上升时间和下降时间中较小的一个。
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第2题
【判断题】由于CMOS反相器的噪声容限一般大于TTL反相器的噪声容限,所以CMOS反相器的抗干扰能力强。
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第3题
CMOS反相器的关门电平提高时,将使其输入低电平的噪声容限______。
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第4题
下列关于静态CMOS的特性,错误的是()。

A.输出电压摆幅等于电源电压。

B.逻辑电平与器件的相对尺寸无关。

C.CMOS反相器具有高输出阻抗,这使它对噪声和干扰不敏感。

D.由于反相器的输入节点只连到晶体管的栅上,所以稳态输入电流几乎为零。

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第5题
【判断题】TTL反相器的关门电平是指保证输出高电平时的输入低电平的最小值。
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第6题
下列 说法正确?

A.CMOS OD门输出端允许直接并联使用

B.CMOS门电路输入端悬空时相当于接‘1’电平

C.CMOS反相器输出端允许直接并联使用

D.CMOS三态门输出端有可能出现高电平、低电平和不定态三种状态

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第7题
题5-3-6:如下关于逻辑努力的描述不正确的是 。

A.逻辑努力随着门的复杂度而加大

B.逻辑努力与门的复杂度无关

C.静态CMOS组合逻辑门中,反相器具有最小的逻辑努力

D.静态CMOS组合逻辑门中,反相器具有最小的本征延时

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第8题
CMOS反相器的电路如图2.3.2所示,反相器的输出端接有负载电容CL,已知VDD=10V,静态电流IDO=1μA,CL=60pF,输入

CMOS反相器的电路如图2.3.2所示,反相器的输出端接有负载电容CL,已知VDD=10V,静态电流IDO=1μA,CL=60pF,输入信号为理想的矩形波,

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第9题
如果CMOS反相器的电源电压是VDD,则反相器的门槛电压为______。

如果CMOS反相器的电源电压是VDD,则反相器的门槛电压为______。

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第10题
若 CMOS 反相器的电源电压为10V,输入高电平时,输出为 ()V;输入低电平时,输出为 ()V。
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