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[主观题]
制造半导体元件时,常常要精确测定硅片上二氧化硅薄膜的厚度,这时可把二氧化硅薄膜的一部分腐
蚀掉,使其形成劈尖,利用等厚条纹测出其厚度。已知Si的折射率为3. 42，SiO2的折射率为1. 5,入射光波长为589.3 nm,观察到7条暗纹(如图22. 7所示)。问SiO2薄膜的厚度h是多少？
提问人：网友yr1161772517
发布时间：2022-07-05
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第1题
如附图所示，制造半导体元件时，常常要精确测定硅片上二氧化硅薄膜的厚度，这时可把二氧化硅薄膜
的一部分腐蚀掉，使其形成劈尖，利用等厚条纹测出其厚度。已知Si的折射率为3.42，siO2的折射率为1.5，入射光波长为589.3nm，观察到7条暗纹。问SiO2薄膜的厚度h是多少？
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第2题
制造半导体元件时,常需要精确地测定硅片上的二氧化硅（SiO2)薄膜的厚度,这时可把二氧化硅薄膜
制造半导体元件时,常需要精确地测定硅片上的二氧化硅(SiO2)薄膜的厚度,这时可把二氧化硅薄膜的一部分腐蚀掉,使它成为劈尖,利用等厚;干涉条纹测出其厚度，已知的Si的折射率为3.42 , Si02的折射率为1.5.用氦氖激光(=632.8nm)垂直照射,在反射光中观察到在腐蚀区域内有8条暗纹,求Si02薄膜的厚度.
第5题
在生产半导体元件时，为了测定硅片上的二氧化硅膜的厚度，将薄膜的一端做成劈尖状，若用波长为λ的平行光，从空气由上而下的垂直照射硅片，在垂直方向上观察到劈尖上出现的干涉条纹，其第七条暗纹正好在劈尖与平面膜的交线Ｍ处（图示），已知n1＜n2＞ ＜n3，则二氧化硅薄膜的厚度e和棱边ｎ处的明暗情况是：＞
A.
，明纹
B. 
，暗纹
C. 
，明纹
D. 
，暗纹
第10题
在生产半导体元件时，为了测定硅片上的二氧化硅膜的厚度，将薄膜的一端做成劈尖状，若用波长为λ的平行光，从空气由上而下的垂直照射硅片，在垂直方向上观察到劈尖上出现的干涉条纹，其第七条暗纹正好在劈尖与平面膜的交线Ｍ处（图示），已知n1＜n2＜n3，则二氧化硅薄膜的厚度e和棱边ｎ处的明暗情况是： data="490980"＞
A.
，明纹
B.
，暗纹
C.
，明纹
D.
，暗纹
