光电二极管的PN结工作在反偏状态，它的反向电流会随光照强度的增加而（）。

三极管工作在放大状态时，它的两个PN结必须是（）。

A.发射结和集电结同时反偏

B.发射结正偏，集电结反偏

C.发射结和集电结同时正偏

D.发射结反偏，集电结正偏

A.发射结反偏而集电结正偏

B.发射结正偏而集电结反偏

C.发射结和集电结同时反偏

D.发射结和集电结同时正偏

A.发射结、集电结皆正偏

B.发射结、集电结皆反偏

C.发射结正偏，集电结反偏

D.发射结反偏，集电结正偏

A.正正反

B.正正正

C.正反正

D.反正反

A.二极管的势垒电容是指PN结反偏时，杂质正负离子区域形成的电容效应

B.二极管的扩散电容是指PN结正偏时，非平衡少子在P区和N区形成的电容效应

C.二极管在低频区工作时，可以忽略它的电容效应

D.二极管在高频区工作时，可以忽略它的电容效应

A.MOS器件具有高输入阻抗

B.MOS提供载流子的端口为漏，接受载流子的端口为源

C.NMOS器件的衬底接地，PMOS器件衬底接VDD

D.工作状态的MOS管所有pn结必须反偏（或零偏）

A.饱和；

B. 放大；

C. 截止。