题目内容
（请给出正确答案）
A.结型场效应管为耗尽型
B.结型场效应管为增强型
C.绝缘栅场效应管只能是耗尽型
D.绝缘栅场效应管只能是增强型
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更多“下列说法错误的是（)。A.结型场效应管为耗尽型B.结型场效应…”相关的问题
A.场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOSFET）
B. 场效应管工作于放大状态时，结型场效应管的栅极与源极之间的PN结是正向偏置
C. 一般来说，场效应管的输入电阻都比较高，结型高达107Ω，绝缘型高达109Ω
D. 场效应管具有输入电阻高、温度稳定性好、噪声小等优点
E. 一般来说，场效应管的放大能力大都比较弱
A.（a）是绝缘栅耗尽型场效应管
B.（b）是绝缘栅增强型场效应管
C.（c）是结型场效应管
D.（b）（c）是N沟道场效应管
A.（a）是绝缘栅耗尽型场效应管
B.（b）是绝缘栅增强型场效应管
C.（c）是结型场效应管
D.（b）（c）是N沟道场效应管
A.脑电图机的放大器应当是具有高电压增益、高共模抑制比、低漂移、低噪声的低频放大器。
B.脑电图机时间常数一般包括0.1s，0.3s，1.0s三挡，通常使用0.3s。
C.脑电图机的时间常数值越大，越有利于记录慢波；时间常数值越小，有利于记录快波。
D.前置放大电路多采用结型场效应管构成的差分式放大器,可提高电路的输入阻抗和共模抑制比。
A.P沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFET
B.P沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；结型N沟道
C.N沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFET
D.N沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET； N沟道结型
A.为P沟道增强型MOS管，Up=1V
B.为N沟道耗尽型MOS管，UT=1V
C.为N沟道增强型MOS管，UT=1V
D.为P沟道结型场效应管，Up=1V
写出下列各类场效应管工作在放大状态下的uGS、UDS的极性。
(1)N沟道结型FET。 (2)P沟道结型FET。
(3)N沟道耗尽型MOSFET。 (4)P沟道耗尽型：MOSFEET。
(5)N沟道增强型MOSFET。 (6)P沟道增强型MOSFET。
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