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[主观题]

本征半导体温度升高后,两种载流子浓度不再相等。()

本征半导体温度升高后,两种载流子浓度不再相等。()

提问人:网友heysein 发布时间:2022-01-06
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第1题
温度升高后本征半导体中自由电子与空穴两种载流子浓度将不再相等。()
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第2题
本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。()

本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。()

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第3题
本征半导体温度升高后两种载流子的浓度仍然相等。()

本征半导体温度升高后两种载流子的浓度仍然相等。( )

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第4题
本征半导体温度升高后,两种载流子浓度还是相等。()
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第5题
本征半导体温度升高后,两种载流子浓度()。

A.仍然相等

B.不相等

C.随机态

D.自由电子数量大于空穴数量

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第6题
对于给定的半导体,随着温度升高,本征载流子的浓度()

A.减小

B.增大

C.不变

D.几乎不变

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第7题
半导体二极管温度升高时,将明显增大由本征激发出的少数载流子的浓度,因此对二极管反向截止特性会产生更明显的影响。
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第8题
当温度升高时,本征半导体中载流子的浓度:()

A.自由电子浓度增大,空穴浓度减小

B.空穴浓度增大,自由电子浓度减小

C.自由电子浓度和空穴浓度的增量相等

D.自由电子浓度和空穴浓度的减量相等

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第9题
温度为300K的本征硅半导体载流子浓度为温度为300K的本征硅半导体载流子浓度为,禁带宽度为1.12eV,计算掺入硼原子后硅中电子浓度为(),禁带宽度为1.12eV,计算掺入温度为300K的本征硅半导体载流子浓度为,禁带宽度为1.12eV,计算掺入硼原子后硅中电子浓度为()硼原子后硅中电子浓度为()

A.温度为300K的本征硅半导体载流子浓度为,禁带宽度为1.12eV,计算掺入硼原子后硅中电子浓度为()

B.温度为300K的本征硅半导体载流子浓度为,禁带宽度为1.12eV,计算掺入硼原子后硅中电子浓度为()

C.温度为300K的本征硅半导体载流子浓度为,禁带宽度为1.12eV,计算掺入硼原子后硅中电子浓度为()

D.温度为300K的本征硅半导体载流子浓度为,禁带宽度为1.12eV,计算掺入硼原子后硅中电子浓度为()

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第10题
温度为300K的本征硅半导体载流子浓度为温度为300K的本征硅半导体载流子浓度为,禁带宽度为1.12eV,计算掺入硼原子后硅中空穴浓度为(),禁带宽度为1.12eV,计算掺入温度为300K的本征硅半导体载流子浓度为,禁带宽度为1.12eV,计算掺入硼原子后硅中空穴浓度为()硼原子后硅中空穴浓度为()

A.温度为300K的本征硅半导体载流子浓度为,禁带宽度为1.12eV,计算掺入硼原子后硅中空穴浓度为()

B.温度为300K的本征硅半导体载流子浓度为,禁带宽度为1.12eV,计算掺入硼原子后硅中空穴浓度为()

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D.温度为300K的本征硅半导体载流子浓度为,禁带宽度为1.12eV,计算掺入硼原子后硅中空穴浓度为()

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