关于LC串联谐振回路中的感性和容性,
A、当外加信号源频率大于谐振频率时,呈感性
B、当外加信号源频率小于谐振频率时,呈容性
C、当外加信号源频率等于谐振频率时,呈纯阻性
D、当外加信号源频率大于谐振频率时,电压相位超前电流
E、当外加信号源频率小于谐振频率时,电流相位超前电压
F、当外加信号源频率大于谐振频率时,呈容性
G、当外加信号源频率小于谐振频率时,呈感性
H、当外加信号源频率大于谐振频率时,电流相位超前电压
I、当外加信号源频率小于谐振频率时,电压相位超前电流
A、当外加信号源频率大于谐振频率时,呈感性
B、当外加信号源频率小于谐振频率时,呈容性
C、当外加信号源频率等于谐振频率时,呈纯阻性
D、当外加信号源频率大于谐振频率时,电压相位超前电流
E、当外加信号源频率小于谐振频率时,电流相位超前电压
F、当外加信号源频率大于谐振频率时,呈容性
G、当外加信号源频率小于谐振频率时,呈感性
H、当外加信号源频率大于谐振频率时,电流相位超前电压
I、当外加信号源频率小于谐振频率时,电压相位超前电流
A、反映串联谐振回路的损耗大小
B、空载品质因素等于串联谐振时的感抗与损耗电阻R之比
C、有载品质因素等于串联谐振时的感抗(或容抗)除以损耗电阻R、信号源内阻、负载电阻之和
D、空载品质因素等于容抗与损耗电阻R之比
E、空载品质因素等于失谐时感抗(或容抗)与损耗电阻R之比
F、空载品质因素等于串联谐振时的总电抗与损耗电阻R之比
G、相比仅考虑空载品质因素时的通频带,考虑有载品质因素时的通频带降低
A、当外加信号源频率大于谐振频率时,呈容性
B、当外加信号源频率小于谐振频率时,呈感性
C、当外加信号源频率等于谐振频率时,呈纯阻性
D、当外加信号源频率大于谐振频率时,电流相位超前电压
E、当外加信号源频率小于谐振频率时,电压相位超前电流
F、当外加信号源频率大于谐振频率时,呈感性
G、当外加信号源频率小于谐振频率时,呈容性
H、当外加信号源频率大于谐振频率时,电压相位超前电流
I、当外加信号源频率小于谐振频率时,电流相位超前电压
A、串联谐振回路谐振时的感抗或容抗
B、串联谐振回路谐振时的容抗
C、串联谐振回路谐振时的感抗
D、特性阻抗等于
E、串联谐振回路谐振时的阻抗
F、串联谐振回路谐振时的总电抗
G、串联谐振回路失谐时的总电抗
H、特性阻抗等于
I、串联谐振回路谐振时的电抗和
A、并联谐振回路谐振时的感抗或容抗
B、并联谐振回路谐振时的容抗
C、并联谐振回路谐振时的感抗
D、特性阻抗等于
E、并联谐振回路谐振时的阻抗
F、并联谐振回路谐振时的总电抗
G、并联谐振回路失谐时的总电抗
H、特性阻抗等于
I、并联谐振回路谐振时的电抗和
A、空载品质因素等于串联谐振时的容抗与损耗电阻R之比
B、空载品质因素等于特性阻抗与损耗电阻R之比
C、相比仅考虑空载品质因素时的通频带,考虑有载品质因素时的通频带增大
D、空载品质因素等于感抗与损耗电阻R之比
E、空载品质因素等于失谐时感抗(或容抗)与损耗电阻R之比
F、空载品质因素等于串联谐振时的总电抗与损耗电阻R之比
G、空载品质因素等于串联谐振时的电抗之和除以损耗电阻R
A、反映并联谐振回路的损耗大小
B、空载品质因素等于并联谐振时的感抗(或容抗)除以损耗电阻R
C、空载品质因素等于并联谐振电阻Rp除以并联谐振时的感抗(或容抗)
D、有载品质因素等于并联谐振时的感纳(或容纳)除以并联谐振电导Gp、信号源电导Gs、负载电导GL之和
E、空载品质因素等于并联谐振时的总电抗与损耗电阻R之比
F、空载品质因素等于并联谐振时的电抗之和与并联谐振电阻Rp之比
G、空载品质因素等于特性阻抗与并联谐振电阻Rp之比
H、相比仅考虑空载品质因素时的通频带,考虑有载品质因素时的通频带降低
A、空载品质因素等于特性阻抗除以损耗电阻R
B、空载品质因素等于并联谐振电阻Rp除以特性阻抗
C、空载品质因素等于并联谐振时的感纳(或容纳)除以并联谐振电导Gp
D、有载品质因素等于并联谐振时的感纳(或容纳)除以并联谐振电导Gp、信号源电导Gs、负载电导之和
E、空载品质因素等于感抗(或容抗)与损耗电阻R之比
F、空载品质因素等于并联谐振时的感抗(或容抗)与并联谐振电阻Rp之比
G、相比仅考虑空载品质因素时的通频带,考虑有载品质因素时的通频带降低
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