题目内容 （请给出正确答案）
[单选题]

半导体表面达到强反型以后，随外加电压的增加，耗尽层宽度（)。

A.增加

B.不变

C.减小

D.无法判断

提问人：网友bnuwenzi 发布时间：2022-01-07
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更多“半导体表面达到强反型以后，随外加电压的增加，耗尽层宽度（)。”相关的问题
第1题
对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是?()
A、本征状态

B、平坦能带状态

C、多子积累状态

D、深耗尽状态

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第2题
对n沟增强型MOSFET而言,源极接地,半导体表面达到强反型后,___在沟道中______进行输运。
A、空穴，由源端到漏端

B、空穴，由漏端到源端

C、电子，由源端到漏端

D、电子，由漏端到源端

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第3题
以下关于MOS空间电荷区宽度的说法中,正确的是()。
A、半导体表面反型时，空间电荷区宽度达到最大值

B、空间电荷区宽度最大时，强反型区的电子或空穴会屏蔽表面电场

C、空间电荷区宽度达到最大值后，表面势的变化不会引起空间电荷区宽度的变化

D、对于n型，外加电压VG>0并逐渐增大时，空间电荷区宽度逐渐增大直至达到最大值

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第4题
【判断题】半导体二极管具有单向导电性,即外加正向电压时导通,外加反向电压时截止。
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第5题
若要使PMOS开启,则栅源之间加()电压,半导体表面能带(),反型后形成()沟道。
A、正，下弯，n型

B、负，上弯，n型

C、负，上弯，p型

D、负，下弯，p型

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第6题
以下关于MOSFET阈值电压的说法中,错误的是()。
A、半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压

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C、衬底掺杂浓度越高，沟道越容易进入强反型状态

D、氧化层厚度增加，阈值电压增加

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第7题
p型的MOS结构半导体表面处于反型区时,空间电荷是()的,为()。
A、正，电离施主杂质

B、正，电离施主杂质和空穴

C、负，电离受主杂质

D、负，电离受主杂质和电子

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第8题
PMOS半导体表面达到反型后,若源端电位高于漏端电位,则()在沟道中()进行输运。
A、空穴，由源端到漏端

B、空穴，由漏端到源端

C、电子，由源端到漏端

D、电子，由漏端到源端

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第9题
对于p型半导体形成的MOS电容结构,当金属端外加负电压时,表面能带向弯曲,表面为状态;对于n型半导体表面能带向弯曲,表面为状态()。
A、上，积累，下，耗尽或反型

B、上，耗尽或反型，上，积累

C、上，积累，上，耗尽或反型

D、下，积累，下，耗尽或反型

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第10题
发光二极管的核心部分是由 和 组成的晶片，在这两部分之间有一个过渡层，称为 。
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