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[主观题]

半导体中掺入()族元素,则可形成P型半导体,掺入()族元素则可以形成N型半导体。

提问人:网友文旻昊 发布时间:2022-01-06
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第1题
说明在纯Ge、Si中掺入III族或V族元素后,对半导体导电性能有何重大影响?
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第2题
热扩散工艺中扩散结深通常采用()和()两种方法进行测量。
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第3题
离子注入最主要的缺点是()。

A、会对晶体结构产生损伤

B、离子注入设备复杂且昂贵

C、高温工艺

D、沟道效应(或通道效应)存在

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第4题
扩散中有两种不同形式的扩散规律:()和恒定杂质总量的扩散,也叫有限源扩散。
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第5题
掺杂中的两步扩散法的第一步是采用恒定表面源扩散的方式,第二步是采用()扩散方法。
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第6题

什么叫离子注入?

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第7题

简述扩散工艺的概念和扩散发生需要的两个必要条件。

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