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[主观题]

PN结处于正向偏置时，耗尽区的宽度减小。

提问人：网友dtzqxx 发布时间：2022-01-06

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第1题

作为一种线性器件，PN结的耗尽区宽度随外加电压的变化而变化。

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第2题

PN结正偏是指N区接高电位，P区接低电位。

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第3题

若在直流电路中硅二极管导通，则其导通电压均可认为0.7V。

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第4题

理想二极管模型在直流电路分析中误差很大，因此不能使用。

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第5题

二极管交流等效电路参数与其静态参数无关。

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第6题

使用二极管恒压降模型时，硅管VD的典型值0.7V，锗管VD的典型值0.5V。

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第7题

PN结正向导通时，流过PN结的主要电流是_______。

A、扩散电流

B、漂移电流

C、反向饱和电流

D、整流电流

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第8题

当PN结达到动态平衡时，参与扩散运动的载流子数目______漂移运动的载流子数目。

A、大于

B、等于

C、小于

D、不能确定

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第9题

如果在硅的晶体内掺杂入少量如磷等五价元素杂质，则整体半导体的电性应该为________。

A、带正电

B、带负电

C、电中性

D、绝缘

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第10题

在下图所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是_______。

A、I=2mA

B、I<2ma<br> C、I>2mA

D、无法判断

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