题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

下面杂质种类中（)属于替位式扩散。

A.Cu

B.P

C.Au

D.Fe

提问人：网友文旻昊 发布时间：2022-01-07

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ABCD

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第1题

若晶体中引入的杂质与结构中部分空位发生缔合，则其扩散系数。

A、增加

B、降低

C、不变

D、变化

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第2题

当杂质原子取代基质原子占据晶格的格点位置时,形成()杂质。A、替位式B、间隙式C、组成式D、以上皆不

当杂质原子取代基质原子占据晶格的格点位置时，形成()杂质。

A、替位式

B、间隙式

C、组成式

D、以上皆不是

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第3题

在硅单晶中,氧的分布以替位的形式存在。()

此题为判断题(对，错)。

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第4题

Ga替位掺入Ge中,其将成为()。

A、施主

B、受主

C、两性杂质

D、中性杂质

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第5题

当晶格上的原子位置被外来原子所占据把这样的缺陷叫做（）。

A. 空位

B. 间隙原子

C. 置换原子

D. 线缺陷

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第6题

根据扩散杂质在晶格中的位置不同，将扩散分为

A、替位式扩散

B、恒定源扩散

C、间隙式扩散

D、有限源扩散

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第7题

下列关于半导体的描述正确的是()

A．通常把主要依靠导带电子导电的半导体成为n型半导体

B．在小注入的情况下,非平衡少数载流子的影响可以忽略

C．根据杂质原子在晶体中的位置,可分为间隙式和替位式

D．根据杂质能级在禁带中的位置,可分为深能级杂质和浅能级杂质

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第8题

单药硼替佐米治疗初发MM-(IIS)，结果显示()

A、硼替佐米中位反应时间为35天

B、CR率随周期的延而增加

C、96%的病人出现最好反应时期为用药四周期后

D、以上都是

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第9题

扩散工艺中杂质浓度分布的测量可以采用（）法测试。

A、四探针法

B、C-V法

C、热探针法

D、磨角染色法

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