题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
PMOS栅源之间加___电压，半导体表面能带___，反型后形成___沟道。
A.正，下弯，n型
B.负，上弯，n型
C.负，上弯，p型
D.负，下弯，p型
提问人：网友y_ankai
发布时间：2022-01-07
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第3题
对于p型半导体形成的MOS电容结构，当金属端外加负电压时，表面能带向 弯曲，表面为 状态；对于n型半导体表面能带向 弯曲，表面为 状态（）。
A.上，积累，下，耗尽或反型
B.上，耗尽或反型，上，积累
C.上，积累，上，耗尽或反型
D.下，积累，下，耗尽或反型
第7题
患者右肩高，双下肢不等长，在右侧足底加鞋垫后可以得到矫正，可能（)。
A.背后观察脊柱呈“S”型侧弯
B.背后观察脊柱呈反“S”型侧弯
C.背后观察脊柱呈“C”型侧弯，弯向右侧
D.背后观察脊柱呈反“C”型侧弯，弯向左侧
第9题
关于霍耳效应，以下说法正确的是？
A.室温时，n型半导体的霍耳系数为负
B.室温时，p型半导体的霍耳系数为正
C.n型半导体的霍耳角为负
D.p型半导体的霍耳角为正
E.室温时，n型半导体的霍耳系数为正
F.室温时，p型半导体的霍尔系数为负
