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[主观题]

【判断题】变容二极管是利用PN结势垒电容随反向偏压变化特性制成的半导体器件。

提问人:网友oneforme 发布时间:2022-01-07
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第1题
PN结具有电容特性,其中正偏时PN结电容以______电容为主,反偏时结电容以______电容为主。利用______电容可以制成变容二极管。

A.扩散 势垒 势垒

B.扩散 势垒 扩散

C.势垒 扩散 势垒

D.势垒 扩散 扩散

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第2题
利用PN结的_____可以制成变容二极管。

A.势垒电容

B.扩散电容

C.静态电容

D.以上均可

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第3题
以下关于PN结电容说法正确的是

A.正向偏压增大时,势垒电容减小;

B.正向偏压增大时,扩散电容减小;

C.反向偏压增大时,势垒电容减小;

D.势垒电容是一种固定电容。

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第4题
pn结加负偏压时,是以势垒电容为主。
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第5题
【填空题】变容二极管是利用了PN结的()效应。(备选答案:扩散电容、势垒电容)
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第6题
变容二极管是一种利用pn结电容(或接触势垒电容)与其反向偏置电压vr的依赖关系及原理制成的二极管,其反偏电压愈大,结电容愈大。()
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第7题
pn结加负偏压时,是以势垒电容为主。()
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第8题
下列说法中,哪一项不是对PN结空间电荷区充电()。

A.PN结外加正向偏压增大

B.PN结外加反向偏压减小

C.使空间电荷区势垒宽度减小

D.使电子和空穴从空间电荷区流入两侧半导体中

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