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电力场效应管MOSFET不存在二次击穿的问题。（）

提问人：网友mldxx0925 发布时间：2022-01-07

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第1题

使用功率MOSFET时要注意（）。

A. 防止静电击穿

B. B.防止二次击穿

C. C.MOSFET不能承受反压

D. D.栅源过电压保护

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第2题

电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作。

A. 直流

B. 低频

C. 中频

D. 高频

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第3题

反映场效应管放大能力的一个重要参数是。

A、输出电阻

B、击穿电压

C、跨导

D、输入电阻

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第4题

场效应三极管的三种应用是什么？

A、放大

B、开关

C、压控的可变电阻

D、电源

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第5题

对比电力晶体管和电力场效应管结构和工作特点上的不同？

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第6题

门极可关断晶闸管由通态转入断态的必要条件是门极加上足够大的反向脉冲电流。（）

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第7题

改变开关管VT在一个开关周期中的导通时间TS，即改变导通占空比D，即可改变电压比M。（）

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第8题

在逆变状态下，E>ud，电机工作在发电制动状态下。（）

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第9题

实现有源逆变的条件是：α小于90度，且E>ud。（）

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