A.NPN型硅管,1为b极,2为e极,3为c极
B.NPN型硅管,1为c极,2为b极,3为c极
C.PNP型硅管,1为b极,2为e极,3为c极
D.PNP型硅管,1为c极,2为b极,3为c极
A.NPN型硅管,1为b极,2为e极,3为c极
B.NPN型硅管,1为c极,2为b极,3为c极
C.PNP型硅管,1为b极,2为e极,3为c极
D.PNP型硅管,1为c极,2为b极,3为c极
A、NPN型硅管,1、2、3依次为B、E、C
B、NPN型锗管,1、2、3依次为B、E、C
C、PNP型硅管,1、2、3依次为C、B、E
D、PNP型锗管,1、2、3依次为C、B、E
A、(a)等效为NPN型管,引脚1、2、3分别对应基极B、集电极C和发射极E; (b)等效为N沟道增强型MOS管,引脚1、2、3分别对应栅极G、漏极D和源S。
B、(a)等效为PNP型管,引脚1、2、3分别对应基极B、集电极C和发射极E; (b)等效为N沟道增强型MOS管,引脚1、2、3分别对应栅极G、漏极D和源S。
C、(a)等效为PNP型管,引脚1、2、3分别对应基极B、集电极C和发射极E; (b)等效为N耗尽增强型MOS管,引脚1、2、3分别对应栅极G、漏极D和源S。
D、(a)等效为NPN型管,引脚1、2、3分别对应基极B、集电极C和发射极E; (b)等效为P沟道增强型MOS管,引脚1、2、3分别对应栅极G、漏极D和源S。
A.2CU是以N-Si为衬底,2DU是以P-Si为衬底;2CU型管还设了一个环极;
B.2CU是以P-Si为衬底,2DU是以N-Si为衬底,2CU型管还设了一个环极;
C.2CU是以N-Si为衬底,2DU是以P-Si为衬底,2DU型管还设了一个环极;
D.2CU是以P-Si为衬底,2DU是以N-Si为衬底,2DU型管还设了一个环极。
A、端子1为阴极K、端子2为阳极A、端子3为门极(或称控制端)G
B、端子1为阳极A、端子2为阴极K、端子3为门极(或称控制端)G
C、端子1为门极(或称控制端)G、、端子2为阴极K、端子3为阳极A
D、以上均不正确
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