下图所示为直流升压/降压斩波电路,L和C值均很大。试求:1)根据上述电路原理图,请简要分析其工作原理,写出UO与占空比α的表达式,并说明α调节范围。 2)已知E=220V,R=4.8Ω,采用脉宽调制控制方式,当ton=30us ,T=40us时,计算输出电压平均值UO=?输出电流平均值IO=?器件的斩波频率f=? 3)此时该直流斩波电路工作在什么状态,为什么? 4)画出uGE,i2和uO的波形图(画两个周期),并在uGE图中注明器件V管的通、断和周期的区域。
下图所示为直流升压/降压斩波电路,L和C值均很大。试求:1)根据上述电路原理图,请简要分析其工作原理,写出UO与占空比α的表达式,并说明α调节范围。 2)已知E=220V,R=4.8Ω,采用脉宽调制控制方式,当ton=30us ,T=40us时,计算输出电压平均值UO=?输出电流平均值IO=?器件的斩波频率f=? 3)此时该直流斩波电路工作在什么状态,为什么? 4)画出uGE,i2和uO的波形图(画两个周期),并在uGE图中注明器件V管的通、断和周期的区域。
A.最佳安全状态
B.最安全工作环境
C.最好安全状态
D.最佳工作环境
A.干扰的本质就是未按频率分配规定的信号占据了合法信号的频率,影响了合法信号的正常工作。
B.从干扰的技术特性分,干扰可分为杂散干扰、阻塞干扰和互调干扰等。
C.杂散干扰是指加于接收机的干扰功率很强,超出了接收机的线性范围,导致接收机因饱和而无法工作
D.互调干扰是指频率为F1和F2的两个信号经过非线性器件或传播媒介后出现的频率为F1和F2的和或差的新信号,主要有二阶、三阶及四阶等互调产物
A.放大器件的工作点所处的范围
B. 放大器件的质量等级
C. 放大器件的最高工作频率
D. 放大器件的最大输出功率
A.MOS管的源漏对称,所以器CGS和CGD相同。
B.MOS器件中存在多个寄生电容,在不同频率下,器件的工作特性有较大差异。
C.MOS管的栅极和源极电容值,与MOS管工作状态无关。
D.MOS中最大的寄生电容是栅漏电容。
A.输入输出电压、电流范围与半导体器件规格的配合
B. 开关的工作频率
C. 电路的可靠性,工作范围的适应性
D. 减小体积、重量和提高效率;较小损耗可减小散热器的尺寸和重量;
E. 减小对电网的污染
A.光电池时基于光生伏特效应制成的,时自发电势有源器件,其中硅电池应用最广泛
B.光敏电阻的工作原理是基于光电导效应,具有很高的灵敏度
C.光敏二极管的结构与普通半导体二极管类似,一般工作与反向偏置状态
D.入射光高于红限频率,如果光线比较微弱就不会又光电子发射出来。
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