题目内容 （请给出正确答案）
[单选题]

MOSFET的饱和区漏极电流ID 随 VDS 的增大而略有增大，是由于什么原因引起的：（）。

A.基区宽度调变效应

B.漏区静电场对沟道的反馈

C.有效沟道调制效应

D.阈电压的短沟道效应

提问人：网友aa00xx 发布时间：2022-01-07
参考答案
查看官方参考答案
如搜索结果不匹配，请 联系老师 获取答案
网友答案
查看全部（）
  • · 有3位网友选择 D，占比37.5%
  • · 有3位网友选择 A，占比37.5%
  • · 有2位网友选择 B，占比25%
匿名网友 选择了C
[123.***.***.39] 1天前
匿名网友 选择了A
[18.***.***.251] 1天前
匿名网友 选择了B
[235.***.***.128] 1天前
匿名网友 选择了A
[18.***.***.251] 1天前
匿名网友 选择了D
[89.***.***.53] 1天前
匿名网友 选择了D
[198.***.***.234] 1天前
匿名网友 选择了A
[69.***.***.159] 1天前
匿名网友 选择了B
[18.***.***.231] 1天前
匿名网友 选择了D
[42.***.***.234] 1天前
匿名网友 选择了A
[184.***.***.23] 1天前
匿名网友 选择了B
[235.***.***.128] 1天前
匿名网友 选择了D
[198.***.***.234] 1天前
匿名网友 选择了D
[89.***.***.53] 1天前
匿名网友 选择了D
[198.***.***.234] 1天前
匿名网友 选择了A
[69.***.***.159] 1天前
匿名网友 选择了B
[18.***.***.231] 1天前
匿名网友 选择了D
[42.***.***.234] 1天前
匿名网友 选择了A
[184.***.***.23] 1天前
匿名网友 选择了B
[235.***.***.128] 1天前
匿名网友 选择了A
[18.***.***.251] 1天前
加载更多
提交我的答案
登录提交答案，可赢取奖励机会。
您可能会需要：
您的账号：，可能会需要：
您的账号：
发送账号密码至手机
发送
重置密码 查看订单 联系客服
安装简答题APP，拍照搜题省时又省心！
更多“MOSFET的饱和区漏极电流ID 随 VDS 的增大而略有增…”相关的问题
第1题
阳极电流密度随槽电流强度大小而改变的一般规律是：阳极电流密度随槽电流强度的增大而增加。()
点击查看答案
第2题
放大区的特点是ic随vce的增大基本不变,略有增大()

此题为判断题(对，错)。

点击查看答案
第3题
当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大。
点击查看答案
第4题
αY（H）的值随pH值的减小而增大。（ ）
点击查看答案
第5题
某一恒定管流处于紊流阻力平方区，其沿程水头损失系数随雷诺数的增大而

A、增大

B、减小

C、不变

D、不定

点击查看答案
第6题
当负载电阻较小，输出功率较大时，适用于 滤波。
点击查看答案
第7题
内力是外力引起的，它随着外力的增大而（ ）。

A、增大

B、减小

C、不变

D、可能增大可能减小

点击查看答案
第8题
当MOSFET处于亚阈区时，衬底表面的少子浓度介于本征载流子浓度与衬底平衡（）浓度之间。
点击查看答案
第9题
当N型MOSFET的温度降低时，器件的阈值电压将（ ）。
点击查看答案
第10题
以下哪些措施可以防止MOSFET的沟道穿通：（ ）。

A、减小沟道长度

B、增加衬底掺杂浓度

C、增加栅氧化层厚度

D、增加沟道宽度

点击查看答案
粘贴 取消
立即搜索
APP特色功能 语音搜题 APP特色功能 拍照搜题
账号：
你好，尊敬的用户
复制账号
首页 考试指南 我的
发送账号至手机
密码将被重置
获取验证码
发送
温馨提示
该问题答案仅针对搜题卡用户开放，请点击购买搜题卡。
马上购买搜题卡
我已购买搜题卡， 登录账号 继续查看答案
重置密码
确认修改
欢迎分享答案

为鼓励登录用户提交答案，简答题每个月将会抽取一批参与作答的用户给予奖励，具体奖励活动请关注官方微信公众号：简答题

简答题官方微信公众号

警告：系统检测到您的账号存在安全风险

为了保护您的账号安全，请在“简答题”公众号进行验证，点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证，验证成功后方可继续查看答案！

微信搜一搜
简答题
点击打开微信
警告：系统检测到您的账号存在安全风险
抱歉，您的账号因涉嫌违反简答题购买须知被冻结。您可在“简答题”微信公众号中的“官网服务”-“账号解封申请”申请解封，或联系客服。
微信搜一搜
简答题
点击打开微信