题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

不会引起MOSFET衬底电流的效应是（）

A.沟道雪崩击穿

B.漏结雪崩击穿

C.漏源穿通

D.GIDL

提问人：网友wangdawei_80 发布时间：2022-01-07

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ABCD

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第1题

衬底电流及寄生双极管效应发生的原因可能是沟道横向电场过强。()

此题为判断题(对，错)。

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第2题

MOSFET的栅极电流ig≈0,控制信号是VGS()

此题为判断题(对，错)。

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第3题

为定量分析MOSFET电流-电压特性,可以假定()。

A、漏区和源区的电压降可以忽略不计

B、沿沟道的扩散电流比由电场产生的漂移电流小的多

C、在沟道内载流子的迁移率为常数

D、其他选项都正确

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第4题

和MOSFET的栅极电流相比,BJT的基极电流ib≈0,控制信号是ib()

此题为判断题(对，错)。

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第5题

对于沟道长度足够短的MOSFET,其饱和区漏源电流()。

A、∝(VGS-VT)²

B、∝W/L

C、∝L

D、∝Cox

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第6题

采用交流焊机时,下列情况中的()不会引起焊机电流减小。

A.焊接电缆太长

B.焊接电缆太粗

C.焊接电缆成盘

D.电缆接触不良

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第7题

互感是由线圈本身电流的变化引起的。()

此题为判断题(对，错)。

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第8题

当MOSFET栅极电压未达到阈值电压值时,流过漏极的电流为零。()

此题为判断题(对，错)。

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第9题

（）不能提高MOSFET频率特性

A、缩短沟道长度

B、减小氧化层厚度

C、使用高迁移率沟道材料

D、采用自对准多晶硅栅

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第10题

开关速度最快的MOS反相器是（）

A、E-R MOS(电阻型负载)

B、E-E MOS

C、E-D MOS

D、无法确定

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