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[主观题]

MOS进入饱和状态后，即使加大Vds电压，Ids电流就不会再上升了

提问人：网友sdwangke 发布时间：2022-01-07

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第1题

工作于饱和区的MOS晶体管，漏源电流IDS几乎不随漏源电压VDS变化。

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第2题

MOS晶体管属于电压控制器件，漏源电流IDS主要由栅源电压VGS控制，与漏源电压VDS无关。

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第3题

如果MOS晶体管的输出电导gds等于零，说明漏源电流IDS与漏源电压VDS无关。

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第4题

如果一个MOS管的VDS为9V，VGS为5V，阈值电压为1V，说明该MOS管工作在饱和状态

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第5题

设一n沟增强型管VTH=2V，VGS=6V，源端接地，以下说法正确的是（)。

A.VDS=0V时，沟道中各点电位相同，沟道厚度各处相同，IDS=0

B.VDS=2V时，漏端沟道厚度比源端厚，但相差不大可近似看成均匀

C.VDS从2V变为4V时，源端沟道越来越薄，IDS随VDS上升减慢

D.VDS=4V时，沟道进入夹断的临界状态，MOS管由导通变为截止

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第6题

N沟道耗尽型场效应管中，漏源电压VDS越大，漏源电流IDS：。

A.越大

B.越小

C.不变

D.无法确定

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第7题

设一n沟增强型管VTH=2V，VGS=6V，源端接地，以下说法正确的是（）。

A.VDS=0V时，沟道中各点电位相同，沟道厚度各处相同，IDS=0

B.VDS=2V时，漏端沟道厚度比源端厚，但相差不大可近似看成均匀

C.VDS从2V变为4V时，源端沟道越来越薄，IDS随VDS上升减慢

D.VDS=4V时，沟道进入夹断的临界状态，MOS管由导通变为截止

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第8题

工作于饱和区的MOS晶体管，漏源电流IDS与栅源电压VGS成线性关系。

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第9题

对于Al栅管，___大，击穿电压大；对于Si栅自对准管，___大，击穿电压大（）。

A.VGS，VDS

B.VDS，VGS

C.VGS，IDS

D.IGS，VDS

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第10题

判断题：P沟道增强型MOS管，结构与NMOS管相反，vGS、vDS 电压极性与NMOS管相反，开启电压vT为负值。

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