题目内容
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[主观题]
什么是离子注入时的沟道效应?列举出三种控制沟道效应...
什么是离子注入时的沟道效应?列举出三种控制沟道效应的方法?
提问人:网友xyseac
发布时间:2022-01-07
什么是离子注入时的沟道效应?列举出三种控制沟道效应的方法?
A.离子注入对半导体晶格没有损伤
B.离子注入利用电场来控制离子的注入深度
C.离子注入利用磁场来筛选注入的离子
D.将半导体晶片偏转一定的角度可以避免离子注入遇到的沟道效应
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