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什么是离子注入时的沟道效应?列举出三种控制沟道效应...

什么是离子注入时的沟道效应?列举出三种控制沟道效应的方法?

提问人:网友xyseac 发布时间:2022-01-07
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第1题
什么是离子注入中常发生的沟道效应(Channeling)和临界角?怎样避免沟道效应?

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第2题
什么是文件的存取控制?试列举出三种实施存取控制的方案?
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第3题
离子注入的沟道效应
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第4题
简述沟道效应的含义及其对离子注入可能造成的影响如何...

简述沟道效应的含义及其对离子注入可能造成的影响如何避免?

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第5题
关于离子注入掺杂,说法正确的有()

A.离子注入对半导体晶格没有损伤

B.离子注入利用电场来控制离子的注入深度

C.离子注入利用磁场来筛选注入的离子

D.将半导体晶片偏转一定的角度可以避免离子注入遇到的沟道效应

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第6题
离子注入最主要的缺点是()。

A.会对晶体结构产生损伤

B.离子注入设备复杂且昂贵

C.高温工艺

D.沟道效应(或通道效应)存在

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第7题
在离子注入掺杂时,有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离,这种现象就是 。当偏离晶向 ψc注入时,可以避免。

A.沟道效应,<

B.沟道效应,>

C.横向效应,<

D.横向效应,>

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第8题
列举出三种鳞茎类花卉_百合;风信子;()。

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第9题
超声波测厚对被测面有什么要求?列举出三种常用的耦合剂。

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第10题
离子注入过程中的沟道效应是指离子注入过程中始终没有与原子核发生碰撞,而是沿晶格间隙“长驱直入”,进入硅片内部相当深的地方。()
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