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[单选题]

下列关于PN结的说法中，错误的是（）。

A.空间电荷区中电场最强的地方是在靠近N区的边界上

B.对于单边突变结，空间电荷区宽度主要向低掺杂一侧扩展

C.平衡时，势垒区两侧正负电荷的总数相等

D.平衡时，一般假设势垒区自由电子密度为零，采用耗尽层近似

提问人：网友bxxmgls7 发布时间：2022-01-07

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ABCD

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更多“下列关于PN结的说法中，错误的是（）。”相关的问题

第1题

下列关于PN结的说法中,错误的是()。

A、空间电荷区中电场最强的地方是在靠近N区的边界上

B、对于单边突变结，空间电荷区宽度主要向低掺杂一侧扩展

C、平衡时，势垒区两侧正负电荷的总数相等

D、平衡时，一般假设势垒区自由电子密度为零，采用耗尽层近似

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第2题

下列关于PN结隧道击穿的说法中,错误的是()。

A、势垒区宽度较大的PN结容易发生隧道击穿

B、隧道击穿也称齐纳击穿

C、隧道击穿发生在重掺杂PN结中

D、隧道击穿的击穿电压温度系数为负

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第3题

下列关于PN结整流效应的说法中,错误的是()。

A、能够将交流电转变成直流电

B、只允许电流从一个方向流过

C、低频整流特性较差

D、高频时，PN结反向阻抗大大降低的原因是由于PN结电容的旁路作用

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第4题

下列关于PowerPoint 2010的说法中错误的是()

A．PowerPoint 2010可以直接打开PowerPoint 2003制作的演示文稿

B．PowerPoint 2010的功能区中的命令不能进行增加和删除

C．PowerPoint 2010的功能区包括快速访问工具栏、选项卡和工具组

D．在PowerPoint 2010的审阅选项卡中可以进行拼写检查、语言翻译、中文简繁体转换等操作

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第5题

下列关于复合中心的说法中，错误的是（）。

A、复合中心的重要作用是促进非平衡载流子的复合

B、复合中心的存在会降低少数载流子的寿命

C、通过复合中心的复合属于间接复合，比直接复合的几率小

D、复合中心能级一般在禁带中央附近

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第6题

PN结势垒区电势最低的位置是（）。

A、靠近P区的势垒区边界

B、靠近N区的势垒区边界

C、PN结界面处

D、电势处处相等

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第7题

下图是硅PN结实际和理想情况下的电流电压特性，d段实际情况偏离理想情况的主要原因是（）。

A、势垒区复合电流

B、势垒区扩散电流

C、大注入

D、体电阻分压

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第8题

下列说法中，哪一项不是对PN结空间电荷区充电（）。

A、PN结外加正向偏压增大

B、PN结外加反向偏压减小

C、使空间电荷区势垒宽度减小

D、使电子和空穴从空间电荷区流入两侧半导体中

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第9题

通常PN结雪崩击穿电压与温度之间的关系是（）。

A、正比

B、反比

C、正相关

D、负相关

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