题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
下列说法错误的是___
A.动态RAM比静态RAM速度高
B.动态RAM需要再生，故需配置再生电路
C.动态RAM的功耗比静态RAM小
D.动态RAM的价格比静态RAM的价格便宜
提问人：网友angelapxq
发布时间：2022-01-07
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第4题
某一SRAM芯片，其容量为16K*8位，则其数据线和地址线的条数分别为___
A、地址线14根，数据线8根
B、地址线16根，数据线8根
C、地址线和数据线均为8根
D、地址线和数据线均为14根
第5题
下列关于主存存取速度说法错误的是
A、存取周期（Memory Cycle Time)是指存储器进行连续两次独立的存储器操作所需的总时间
B、存取时间又称为存储器的访问时间，是指启动一次存储器操作到完成该操作所需的全部时间
C、存取时间分读出时间和写入时间两种
D、通常存取周期大于存取时间
第8题
随机存储器按其存储信息的原理不同，可以分为静态RAM和动态RAM两大类。 下图是静态RAM芯片Interl2114的外特征示意图。图中，A9~A0为地址输入端；I/01~I/O4为数据输入/输出端；CS为片选信号（低电平有效）；WE为写允许信（低电平为写，高电平为读）；Vcc为电源端；GND为接地端。 由Intel2114的外特征图，我们可知其存储容量为____ 
A、1K×4 位
B、1K × 4字节
C、1K × 10位
D、2K × 4位
第10题
主存的实际结构如图4.4所示，根据MAR中的地址访问某个存储单元时，需经过地址译码、驱动等电路，才能找到所需访问的单元。读出时，需经过读出放大器，才能将被选中单元中存储字送到MDR。写入时，MDR中的数据也必须经过写入电路才能真正写入到被选中的单元中。 在现代计算机中，通常会将图中的____制作在CPU芯片中。 
A、MAR 和MDR
B、地址总线、数据总线
C、驱动器、译码器、读写电路
D、图中所有器件
