题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是？
A.VGS＞ VGS(th)，VDS＞ VGS - VGS(th)
B.VGS＞ VGS(th)，VDS ＜ VGS - VGS(th)
C.VGS ＜ VGS(th)，VDS ＞ VGS - VGS(th)
D.VGS ＜vgs(th)，vds＞ ＜ VGS - VGS(th)
提问人：网友sadejack
发布时间：2022-01-06
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第2题
某N沟道场效应管的开启电压UGS(th)=4V，其UGS=6V，UDS=1...
某N沟道场效应管的开启电压UGS(th)=4V，其UGS=6V，UDS=12V，则该场效应管工作在( )。
A．可变电阻区 B．恒流区 C．截止区 D．无法判断
第4题
在vGS=0时，可能工作在恒流区的是____。
A、N沟道增强型MOSFET
B、N沟道耗尽型MOSFET
C、N沟道结型FET
D、P沟道增强型MOSFET
E、P沟道耗尽型MOSFET
F、P沟道结型FET
第8题
为定量分析MOSFET电流-电压特性,可以假定()。
A、漏区和源区的电压降可以忽略不计
点击查看答案
B、沿沟道的扩散电流比由电场产生的漂移电流小的多
C、在沟道内载流子的迁移率为常数
D、其他选项都正确
第9题
下图所示是示波器探头的手柄阻抗拨动开关细节图，若手柄放在1X端， 垂直菜单栏中第四栏应怎么调节？若手柄放在10X端，又该怎样调节？ 
A、电压1X、电压10X
B、电压10X、电压1X
C、电压1X、电压1X
D、任意选择，不影响
