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[单选题]
霍尔元件不等位电势产生的主要原因不包括()。
A.霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位上
B.半导体材料不均匀造成电阻率不均匀或几何尺寸不均匀
C.周围环境温度变化
D.激励电极接触不良造成激励电流不均匀分配
提问人:网友zsx19951120
发布时间:2022-01-06
A.霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位上
B.半导体材料不均匀造成电阻率不均匀或几何尺寸不均匀
C.周围环境温度变化
D.激励电极接触不良造成激励电流不均匀分配
A.半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或几何尺寸不均匀
B.霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上
C.激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等
D.激励电极与霍尔电极接触不良,形成非欧姆接触
A、霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位上
B、半导体材料不均匀造成电阻率不均匀或几何尺寸不均匀
C、周围环境温度变化
D、激励电极接触不良造成激励电流不均匀分配
A.激励电极与霍尔电极接触不良,形成非欧姆接触
B.半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或几何尺寸不均匀
C.霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上
D.激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等
A.输出电流
B.输出电压
C.霍尔电势
D.霍尔电位
A.金属材料电子浓度很高,RH 很大,UH 很小
B.任何材料在一定条件下都能产生霍尔电势,但不是都可以制造霍尔元件
C.半导体电子迁移率一般大于空穴的迁移率,所以霍尔元件多采用N型半导体(多电子)
D.厚度d越小,霍尔灵敏度越大,所以霍尔元件做的较薄,通常近似1微米
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