题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
随着温度的升高，在晶格节点上的原子振动范围也就增大，这就是金属（）的原因。
A.热胀热缩
B. 热胀冷缩
C. 冷胀冷缩
D. 冷胀热缩
提问人：网友chenlin0613
发布时间：2022-01-07
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第2题
随着温度的升高，n型半导体电导率的变化应为
A.先增大（考虑杂质电离和电离杂质散射），后减小（考虑晶格振动散射），再增大（考虑本征激发）；
B.先增大（考虑杂质电离和晶格振动散射），后减小（考虑晶格振动散射），再增大（考虑本征激发）；
C.先减小（考虑晶格振动散射），后增大（考虑本征激发），再减小（考虑晶格振动散射）；
D.先增大（晶格振动散射），后减小（考虑杂质电离和电离杂质散射），再增大（考虑本征激发）；
第3题
随着温度的升高，n型半导体电导率的变化应为（)。
A.先增大(考虑杂质电离和电离杂质散射)，后减小(考虑晶格振动散射)，再增大(考虑本征激发)
B.先增大(考虑杂质电离和晶格振动散射)，后减小(考虑晶格振动散射)，再增大(考虑本征激发)
C.先减小(考虑晶格振动散射)，后增大(考虑本征激发)，再减小(考虑晶格振动散射)
D.先增大(晶格振动散射)，后减小(考虑杂质电离和电离杂质散射)，再增大(考虑本征激发)
第4题
随着温度的升高，非简并n型半导体电导率的变化过程为？（)
A.先增大(考虑杂质电离和电离杂质散射)，后减小(考虑晶格振动散射)，再增大(考虑本征激发)
B.先增大(考虑杂质电离和晶格振动散射)，后减小(考虑晶格振动散射)，再增大(考虑本征激发)
C.先减小(考虑晶格振动散射)，后增大(考虑本征激发)，再减小(考虑晶格振动散射)
D.先增大(晶格振动散射)，后减小(考虑杂质电离和电离杂质散射)，再增大(考虑本征激发)
第5题
见上传图片，并求解。答案请用纸写下来，拍照上传即可。 讨论在德拜近似下有 N 个相同原子组成长度为 L 的一维晶格振动的模式密度和德拜温度，有 N 个相同原子组成面积为 S 的二维晶格振动的模式密度和德拜温度，有 N 个相同原子组成体积为 V 的三维晶格振动的模式密度和德拜温度。答案请用纸写下来，拍照上传即可。
第8题
在晶格热振动时，一些能量足够大的原子离开平衡位置后，挤到晶格点的间隙中，形成间隙原子，而在原来位置上形成空位，这种缺陷称为（）。
A.取代式缺陷
B.弗伦克尔缺陷
C.肖特基缺陷
D.杂质缺陷
第10题
以下关于“晶格振动散射”的说法正确的是：
A.电子在晶格中被格波散射可以看作是电子与声子的相互作用。
B.在半导体中起主要散射作用的是长波，而且是纵波。
C.声学波散射和光学波散射的散射几率都随温度升高而增大。
D.声学波散射和光学波散射的散射几率都随温度升高而降低。
E.声学波散射的散射几率随温度升高而增大；光学波散射的散射几率随温度升高而降低。
