关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是 ()
A、突触前轴突末梢超极化
B、突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大
C、突触后膜去极化
D、突触后膜电位负值增大,出现超极化
E、突触后膜对K+、Na+,尤其是K+的通透性增大
A、突触前轴突末梢超极化
B、突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大
C、突触后膜去极化
D、突触后膜电位负值增大,出现超极化
E、突触后膜对K+、Na+,尤其是K+的通透性增大
关于抑制性突触后电位产生过程的描述,错误的是()
A.突触后膜对Cl-或K+的通透性升高
B.突触前轴突末梢去极化
C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合
D.Ca2+由膜外进人突触前膜内
E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动
关于抑制性突触后电位产生过程的描述,错误的是
A.突触前轴突末梢去极化
B.Ca2+由膜外进入突触前膜内
C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合
D.突触后膜对Cl 或K+的通透性升高
E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动
A.突触前轴突末梢超极化
B.突触后膜对Ca、K的通透性增大
C.突触后膜去极化
D.突触后膜电位负值增大,出现超极化
E.突触后膜对K、Na,尤其是K的通透性增大
A.突触前膜去极化,膜对Ca2+通透性增大
B.胞内Ca2+浓度增加囊泡向突触前膜移动
C.囊泡内递质释放至突触间隙
D.递质与突触后膜受体结合,打开某种离子通道
E.突触后膜产生兴奋性突触后电位或抑制性突触后电位
A.突触前轴突末梢去极化
B.a2 斗由膜外进入突触前膜内
C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合
D.突触后膜对 K+.Cl-的通透性升高
E.突触后膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动
A.突触前末梢去极化
B.Ca2+由膜内进入突触前膜内
C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合
D.突触后膜对K+、Cl-的通透性升高
E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动
A.突触前轴突末梢去极化
B.Ca2+由膜外进入突触前膜内
C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合
D.突触后膜对Cl-或K+的通透性升高
E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动
下列抑制性突触后电位产生过程的描述,哪个是不正确的
A.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合
B.Ca2+由膜外进入突触前膜内
C.突触前膜除极化
D.突触后膜膜电位增大,导致突触后神经元发放冲动
关于突触传递过程的叙述,错误的是()
A 突触前膜去极化,膜对钙离子的通透性减少
B 胞内钙离子浓度增加促进囊泡向突触前膜移动
C 囊泡内递质释放至突触间隙
D 递质与突触后膜受体结合,打开某种离子通道
E 突触后膜产生兴奋性突触后电位或抑制性突触后电位
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