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[单选题]

由N=D²/4λ可知晶片尺寸增加，近场区长度迅速增加，（）。

A.对探伤有利

B. 对探伤不利

C. 半扩散角增大

D. 超声波能量发散

提问人：网友jesvin 发布时间：2022-01-06

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ABCD

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第1题

由N=D2／4λ可知晶片尺寸增加，近场区长度迅速增加，（)。

A.对探伤有利

B.对探伤不利

C.半扩散角增大

D.超声波能量发散

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第2题

探头晶片尺寸增加，近场区长度增加，对探伤不利。

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第3题

探头晶片尺寸（)，近场区长度增加，对近表面的缺陷探测不利。

探头晶片尺寸()，近场区长度增加，对近表面的缺陷探测不利。

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第4题

探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。

A.增加

B. 减小

C. 不变

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第5题

同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。此题为判断题(对，错)。

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第6题

横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。此题为判断题(对，错)。

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第7题

超声场近场区长度和指向角的大小都取决于超声波的波长及晶片的尺寸。（）此题为判断题(对，错)。

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第8题

说明指向角和近场区长度的关系，在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸？

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第9题

计算题：求折射角为37°斜探头在钢中的近场区长度。（已知λ=1.6mm、α=30°、晶片尺寸为10mm×13mm）。

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第10题

探头的晶片尺寸增加对探头的（)有不利影响。

A.声束的指向性

B.近场区长度

C.远距离缺陷检出能力

D.以上都是

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