题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
IGBT的反向耐压较低,目前,IGBT模块总是将二极管同IGBT()封装在一起。
A.串联
B.并联
C.反并联
D.以上选项都不正确
提问人：网友yww2019
发布时间：2022-01-06
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B. 串联
C. 反并联
D. 以上选项都不正确
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第2题
关于IGBT说法错误的是（）
A.IGBT相对于MOSFET开关频率较低
B.IGBT相对于MOSFET耐压值较小
C.IGBT相对于MOSFET更可工作在大功率环境下
D.IGBT是由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式半导体器件
第3题
关于IGBT设计选型描述正确的是（）
A．IGBT实际使用时不得超过集电极-发射极间最高耐压（Vce），且考虑到开关时电感产生的反向峰值电压，必须留有设计裕量，推荐220V顶啊元使用600V耐压型号，380V电源使用1200V耐压型号
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B．推荐IGBT实际运行电流不超过集电极最大电流（Ic）的50%，且实测最恶劣运行条件下IGBT表面温度不超过90℃
C．IGBT的驱动IC，当使用两路并联驱动IGBT时，可以把驱动IC输出直接短接，以提高驱动能力
D．IGBT实际使用时不得超过栅极-发射机间最高耐压（Vge），一般推荐为±15V以
