有一2CR型硅光电池的交流检测电路,其直流负载电阻Rb=5kΩ,通过耦合电容Cc=5μF与负载电阻RL相连而组成交流负
有一2CR型硅光电池的交流检测电路,其直流负载电阻Rb=5kΩ,通过耦合电容Cc=5μF与负载电阻RL相连而组成交流负载,若光电池在入射光照度100lx下可产生短路电流0.2mA,如光电池结电容1000pF,结区及表面漏电阻Rs=30kΩ,试计算使负载电阻RL上取得最大功率输出条件下检测电路的中频段光电转换系数和上、下限截止频率?
有一2CR型硅光电池的交流检测电路,其直流负载电阻Rb=5kΩ,通过耦合电容Cc=5μF与负载电阻RL相连而组成交流负载,若光电池在入射光照度100lx下可产生短路电流0.2mA,如光电池结电容1000pF,结区及表面漏电阻Rs=30kΩ,试计算使负载电阻RL上取得最大功率输出条件下检测电路的中频段光电转换系数和上、下限截止频率?
已知2CR44型硅光电池的光敏面积为10mm×10mm,在室温为300K、辐照度为100时的开路电压,短路电流。则辐照度为200时最大输出功率为()mW,转换效率为()%。
A、18.48
B、19.08
C、9.54
D、9.24
设某光敏电阻在100lx光照下的阻值为2,且已知它在90~120lx范围内的。则该光敏电阻在110lx光照下的阻值为()。
A、2224.6
B、1999.9
C、1873.8
D、935.2
A、2.01×10-3
B、1.71×10-3
C、0.57
D、3×10-4
在室温300K时,已知2CR21型硅光电池(光敏面积为5mm×5mm)在辐照度为100时的开路电压为,短路电流。室温情况下,辐照度降低到50时的开路电压为()mV与短路电流为()mA。
A、275
B、532
C、5.8
D、3
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