【判断题】快闪存储器的写入方法是利用隧道效应进行的。

A.隧道效应、快速擦除

B.速度快

C.功耗低

D.集成度高

A.利用晶体管的掩膜

B.利用电容存储信息

C.利用快闪技术

D.采用触发器电路来存储信息

闪速存储器（Flash Memory）主要特点是

A.一旦写入信息就固定不变

B.既可在不加电的情况下长期保存信息，又能在线进行快速擦除与重写

C.存取时间的长短与信息所在存储单元的物理位置有关

D.存取操作必须按顺序进行

存取周期是指________。

A．存储器的写入时间

B．存储器进行连续写操作允许的最短间隔时间

C．存储器进行连续读或写操作所允许的最短间隔时间

存储周期是指______。

A.存储器的写入时间；

B.存储器进行连续写操作允许的最短间隔时间；

C.存储器进行连续读或写操作所允许的最短间隔时间；

D.指令执行时间。

存取周期是指()。

A．存储器的写入时间

B．存储器的读出时间

C．存储器进行连续写操作允许的最短时间间隔

D．存储器进行连续续写操作所允许的最短时间间隔