异质外延对衬底和外延层有什么要求?

此题为判断题(对，错)。

此题为判断题(对，错)。

什么是扩散效应？什么是自掺杂效应？这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化？

A.这是切片误差；

B.这是为外延生长提供更多的结点位置；

C.这是为了得到原子层量级的台阶；

D.这是切片工艺本身要求的。

制造晶体管--般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型的外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成。

①设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV，300k时的E_F位于导带底.下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。

②设n型外延层杂质均匀分布,杂质浓度为4.6x10¹⁵cm^-3,计算300K时EF的位置及电子和空穴浓度。

③在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼浓度为5.2x10¹⁵cm^-¿39

40¿, 计算300K时E_F的位置及电子和空穴浓度。

④如温度升高到500K，计算③中电子和空穴的浓度(本征载流子浓度、数值查图3-7)。

A.非常适合于生长各种异质结构材料

B.外延层大面积均匀性良好，可以进行大规模生产

C.可以生长超薄外延层，并能获得很陡的界面过渡

D.生长易于控制，可以生长纯度很高的材料

E.适用范围广泛，几乎可以生长所有化合物及合金半导体

A.绒面衬底上的外延生长

B.硅锗合金

C.量子点太阳能电池

D.掩埋背反射镜

设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV,300k时的E_F位于导带底下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。②设n型外延层杂志均匀分布，杂质浓度为4.6x10¹⁵cm^-3,计算300K时的E_F位置和电子空穴浓度。③在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼的浓度为5.2x10¹⁵cm^-3,计算300K时E_F位置和电子空穴浓度。④如温度升高到500，计算③中电子空穴的浓度。