CMOS负载管为___,倒相管为___,两个管各自的______短接。()
A.PMOS,NMOS,衬底和源端
B.PMOS,NMOS,衬底和漏端
C.NMOS,PMOS,衬底和源端
D.NMOS,PMOS,衬底和漏端
A.PMOS,NMOS,衬底和源端
B.PMOS,NMOS,衬底和漏端
C.NMOS,PMOS,衬底和源端
D.NMOS,PMOS,衬底和漏端
B、两个管子的跨导均可以做得较大,使导通时等效电阻小
C、在导通和截止态转变过程中,瞬态电流会增大,一定会产生很大的总功耗
D、开关时间短,可以迅速完成状态转换
A. 200mg
B. 400mg
C. 600mg
D. 800mg
E. 1000mg
A、可调电阻区的电压范围为VDS<vgs-vth>
B、近漏处比近源处的沟道厚度要小
C、此时沟道区呈现电阻特性,电流IDS与VDS基本上是线性关系
D、VGS越大,沟道电阻越大
A、半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压
B、若金属相比半导体的功函数较小,二者功函数之差越大时,n沟增强型MOSFET的开启电压就越小
C、衬底掺杂浓度越高,沟道越容易进入强反型状态
D、氧化层厚度增加,阈值电压增加
A、此时满足条件VDS>VGS-VTH
B、沟道夹断点从源端向漏端移动
C、沟道夹断点电压为VGS-VTH
D、沟道夹断区为耗尽区
A、VDS增加,出现夹断点,沟道长度减小,导致漏-源饱和电流增加
B、MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜,输出阻抗降低
C、在n型沟道中运动的电子到达夹断处时,被耗尽区电场扫进漏区,增益变小
D、其工作机理类似于双极型晶体管的基区宽度调变效应
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