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[主观题]

DRAM的读写过程可以起到刷新存储的作用,刷新频度一般为100ms数量级。

提问人:网友xiaoruoyun 发布时间:2022-01-07
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第1题

A.提供DRAM刷新定时

B.按照DRAM刷新优先于读写的原则为DRAM提供仲裁

C.通过仲裁可以避免读写和刷新操作的冲突

D.产生符合DRAM操作的控制信号

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第2题

A、SRAM和DRAM都属于半导体随机存取存储器

B、磁带和磁盘都是采用直接存取方式的磁表面存储器

C、磁带、磁盘、光盘和优盘都属于非易失性存储介质

D、随机访问存储器采用地址译码方式选中被读/写单元

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第3题
若CPU访问由256K×1的DRAM芯片组成的512K×8的存储系统,则CPU需使用的地址引脚数、DRAM的地址引脚数和所需的片选信号数依次为( )。

A、19,18,2

B、18,9,8

C、19,18,8

D、19,9,2

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第4题
下列属于导致DRAM 比SRAM慢的原因是( )(多选)

A、DRAM需要刷新操作

B、DRAM 读写过程中其地址分行、列分时传送

C、读操作前先要进行预充操作

D、DRAM的容量比SRAM容量大

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第5题
有一64K × 16位的存储器,用4K × 1位的DRAM芯片构成。读写周期为0.5us。如采用异步刷新方式,假设单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是( )。

A、2ms

B、7.8125us

C、15.625us

D、31.25us

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第6题
相同制造工艺下,SRAM的存储密度高于DRAM
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第7题
DRAM采用时分的设计思想,将数据与地址信号复用,减少了信号线的条数,方便了电路的布局。
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第8题
DRAM地址线较少,地址线多不采用时分复用
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第9题
由于NAND型Flash容量较大,所有与DRAM相似,NAND型地址线也采用了地址的分时复用策略。
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