题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

P型半导体中产生空穴的原因是在()中加入了铝硼镍等元素。

A.导体

B. 绝缘体

C. 半导体

D. 介子

提问人:网友wurongzong 发布时间:2022-01-06
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[188.***.***.182] 1天前
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第1题
理想MIS(p型半导体衬底)结构中,高频C-V特性在强反型区与低频C-V特性不同的原因是高频条件下______

A.半导体表面附近的空穴不能产生

B.半导体表面附近的电子不能产生

C.半导体表面附近的空穴数量变化跟不上信号变化

D.半导体表面附近的电子数量变化跟不上信号变化

E.半导体发生了深耗尽

F.以上均不是

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第2题
在P型半导体中掺入微量的()等元素后,半导体中就会产生许多缺少电子的空穴。

A.铟、铝、锑、镓

B. 铟、铝、硼、镓

C. 铟、磷、锑、砷

D. 铟、锑、硼、镓

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第3题
在硅、锗中掺杂III族元素,以下描述正确的是:

A.III族元素在硅、锗中电离过程接受电子;

B.III族元素在硅、锗中电离产生导电空穴;

C.III族元素在硅、锗中电离后并形成正电中心;

D.此类杂质半导体为依靠价带空穴导电的P型半导体 。

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第4题
在P型半导体中,导带中电子的浓度大于价带中空穴的浓度。
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第5题
在本征半导体中掺入少量的铝元素,可以形成 P型半导体,多子是空穴。()

在本征半导体中掺入少量的铝元素,可以形成 P型半导体,多子是空穴。()

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第6题
在P型半导体中,()是多数载流子。

A.电子

B.空穴

C.离子

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第7题
在P型半导体中,多数载流子是()。 A.自由电子 B.空穴 C.空间电荷

在P型半导体中,多数载流子是( )。

A.自由电子 B.空穴 C.空间电荷

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第8题
在P型半导体中多子为空穴,少子为自由电子()
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第9题
N型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。

A.空穴

B.三价元素

C.五价元素

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