题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

MOSFET开关的基本工作原理是通过___极电压来控制___极和___极之间的导电沟道的通断。

A.栅、源、漏

B.漏、源、栅

C.源、漏、栅

D.以上都不是

提问人:网友Dume2020 发布时间:2022-01-07
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第1题
电力MOSFET导通表述正确的是:

A.当栅极电压为零时,N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。

B.当栅极电压小于零时,N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。

C.当栅极电压大于零时,N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。

D.当栅极电压大于零时,N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间不能导通。

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第2题
场效应管是利用栅源电压改变导电沟道的宽窄来实现对漏极电流控制的。
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第3题
有关场效应管,以下说法错误的是()

A.场效应管主要靠导电沟道中的多数载流子实现导电

B.在恒流区,漏极电流基本不受漏源极电压的控制

C.在恒流区,场效应管的漏极电流和栅源极电压之间是平方率关系

D.发生预夹断后,场效应管的漏极电流因为沟道被部分夹断而会减小

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第4题
场效应管主要工作原理是栅源电压对漏极电流的控制作用,但实际上漏极电流还受到漏源电压的影响。
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第5题
增强型绝缘栅场效应管,当栅极与源极之间电压为零时 。

A.不能形成导电沟道

B.能够形成导电沟道

C.漏极电流不为零

D.漏极电压为零

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第6题
场效应晶体管是用()控制漏极电流的。

A.栅源电流

B.栅源电压

C.漏源电流

D.漏源电压

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第7题
场效应晶体管的放大作用表现为()。

A.栅极电流控制漏极电流

B.栅源电压控制漏极电流

C.漏源电压控制漏极电流

D.源极电流控制漏极电流

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第8题
功率场效应晶体管的输出特性表示在栅源电压VCS为一定值时,()之间的关系。

A.漏极电流与漏极电压

B.源极电流与漏极电压

C.漏极电流与漏源极电压

D.源极电流与漏源极电压

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第9题
场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。

A、栅极电流

B、栅源电压

C、源极电压

D、源极电流

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第10题
假设NMOS晶体管栅源电压大于阈值电压。当漏源电压VDS等于饱和电压VDSsat时,导电沟道靠近漏极处开始出现夹断。如果VDS继续增大,夹断点移向源极侧,沟道有效长度变短。
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