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[主观题]

位于电池上表面栅线电极形状设计应考虑电池电学损失和化学损失两方面因素,应尽量提高金属电极的

提问人:网友tigeryuan 发布时间:2022-01-07
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第1题
制约单晶硅太阳电池光电转换效率进一步提高的主要技术障碍有()。

A.内部复合损失

B.表面复合损失

C.电池表面栅线遮光影响

D.光传导损失

E.电池表面光反射损失

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第2题
限制单晶硅太阳电池转换效率的主要技术障碍有()。

A.光传导损失

B.表面光反射损失

C.内部复合损失

D.电池表面栅线遮光影响

E.表面复合损失

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第3题
刻槽埋栅电池的叙述不正确优点是()。

A.埋栅电报处实行重掺杂有利于形成欧姆接触,提高电池的开路电压

B. 栅指电极埋入电池表面无遮光,提高短路电流密度

C. 埋栅电极深入到硅衬底内部增加了基区光生电子复合

D. 淡磷扩散减少“死层”的形成,增加对长波的响应

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第4题
可逆电池应具备的两个条件是( )

A.电池反应有化!学可逆性

B.电极反应具备热力学可逆性

C.电池反应没有化学可逆性

D.电池反应不一定具有化学可逆性

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第5题
叶栅损失包括______损失和______损失。若从叶栅损失产生的原因看,它由______损失、______损失和______损失组
成。
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第6题
格栅运行管理和设计的主要参数除栅距和过栅流速外,还包括()

A.水头损失

B.栅渣量

C.清渣方式

D.水头损失和栅渣量

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第7题
将下列硅太阳电池发展历程一一对应。1).1958年A、硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用B、把

将下列硅太阳电池发展历程一一对应。

1).1958年

A、硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用

B、把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中

C、把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造工艺中

2).20世纪70年代初

A、硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用

B、把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中

C、把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造工艺中

3).20世纪80年代初

A、硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用

B、把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中

C、把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造工艺中

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第8题
电池重量比较大,电池摆放应尽量遵守以下原则:()

A.在安装面积许可的情况下,尽量减少电池的安装层数

B. 在位置许可的情况下,电池组尽量靠近承重梁和承重墙安装

C. 在使用许可的情况下,多组电池应当尽量分散安装

D. 选择安装方式时,还要考虑足够的安全裕度。

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第9题
金属电极发生腐蚀电池的阴极反应。
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第10题
【单选题】()可以让化学体系和电极材料复原。

A.碱式锌锰电池

B.二次电池

C.锌银电池

D.干电池

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