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A.内部复合损失
B.表面复合损失
C.电池表面栅线遮光影响
D.光传导损失
E.电池表面光反射损失
A.埋栅电报处实行重掺杂有利于形成欧姆接触,提高电池的开路电压
B. 栅指电极埋入电池表面无遮光,提高短路电流密度
C. 埋栅电极深入到硅衬底内部增加了基区光生电子复合
D. 淡磷扩散减少“死层”的形成,增加对长波的响应
将下列硅太阳电池发展历程一一对应。
1).1958年
A、硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用
B、把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中
C、把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造工艺中
2).20世纪70年代初
A、硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用
B、把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中
C、把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造工艺中
3).20世纪80年代初
A、硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用
B、把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中
C、把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造工艺中
A.在安装面积许可的情况下,尽量减少电池的安装层数
B. 在位置许可的情况下,电池组尽量靠近承重梁和承重墙安装
C. 在使用许可的情况下,多组电池应当尽量分散安装
D. 选择安装方式时,还要考虑足够的安全裕度。
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