题目内容
(请给出正确答案)
[主观题]
光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺()。A.刻制图形B.绘
光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺()。
A.刻制图形
B.绘制图形
C.制作图形
提问人:网友zhangwe2019
发布时间:2022-01-07
光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺()。
A.刻制图形
B.绘制图形
C.制作图形
B、明胶是吸卤剂
C、明胶不参与坚膜作用
D、明胶热熔冷凝
E、明胶可保护未感光卤化银
下列叙述正确的是A、明胶黏性低
B、明胶参与感光化学反应
C、明胶使卤化银处于沉淀状态
D、明胶没有保护作用
E、明胶提高胶片感光度
关于本底灰雾,描述错误的是
A.本底灰雾是胶片固有的密度。
B.本底灰雾值的大小,在特性曲线上是起始点的密度值。
C.本底灰雾是胶片片基的密度。
D.本底灰雾是胶片片基的密度和胶片显影灰雾的密度之和。
E.本底灰雾是X线胶片的感光特性之一。
透视和摄影都要利用的X线特性是()。
A.穿透性
B.荧光作用
C.感光作用
D.电离作用 E生物效应
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