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[主观题]

稳压二极管是利用PN结的击穿特性制作的一种电子元件，根据击穿机理可分为齐纳击穿和雪崩击穿两种，从击穿电压

大小上比较，击穿电压高的通常是______击穿，噪声系数大的通常是______。

提问人：网友anonymity 发布时间：2022-01-06

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第1题

击穿电压小于4v的属于齐纳击穿，击穿电压高于6v的属于（）。

A. 雪崩击穿

B. 电压击穿

C. 电流击穿

D. PN结击穿

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第2题

发光二极管的主要作用是指示和光发射，并可作为稳压管使用。下列哪个选项不是它的应用

A、液晶电视

B、红外遥控中的光发射管

C、红外报警中的光发射管

D、低电压稳压二极管

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第3题

试说明发光二极管的结构和工作原理。发光二极管的特征参数和极限参数有哪些？

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第4题

第1代电子计算机使用的电子原件是。

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第5题

杂质半导体中的多数载流子是由______产生的，少数载流子是由______产生的，在二极管中，多数载流子形成______电流，少数载流子形成______电流。

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第6题

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已知一个晶体三极管在发射极开路时测得集电极电流I_C=2μA，I_B=40μA时I_E=2mA。试计算该管子的I_CBO、I_CEO电流放大系数β及α的值。

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第7题

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已知一个硅二极管在外加正向电压V_D=0.6V时的正向电流为I_D=10mA，试计算当V_D增加到0.66V时(即增加10%)的正向电流I_D为多少？并分析所得结果。

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第8题

用指针式三用表的电阻挡测量晶体三极管，黑表笔接三极管的一个电极，红表笔分别接另两电极时的电阻较小，交换红黑表笔测量时阻值较大，则该管为NPN管。( )

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第9题

晶体管饱和压降的工程值VCES约为0.3V。(??)...

晶体管饱和压降的工程值V_CES约为0.3V。( )

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第10题

晶体管的电流放大系数β越大越好。( )

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