题目内容
(请给出正确答案)
[主观题]
空穴浓度为1016cm-3的p型锗,室温下与金属连接,通以A的电流。求接头处吸收或放出的帕尔帖热(设为长声学波散射
空穴浓度为1016cm-3的p型锗,室温下与金属连接,通以A的电流。求接头处吸收或放出的帕尔帖热(设为长声学波散射)。
提问人:网友anonymity
发布时间:2022-01-06
空穴浓度为1016cm-3的p型锗,室温下与金属连接,通以A的电流。求接头处吸收或放出的帕尔帖热(设为长声学波散射)。
(1)问这半导体是正电荷导电(空穴型)还是负电荷导电(电子型)?
(2)求载流子浓度,设霍耳系数仍具有式(7-8)的形式
A.201Tl和99mTc-MIBI可以聚集于功能亢进的甲状旁腺组织
B. 但这些显像剂被甲状旁腺的摄取为非特异性,同时也被正常甲状腺组织摄取
C. 高锝[99mTc]酸盐只被正常甲状腺组织摄取而不被甲状旁腺摄取
D. 通过计算机减影技术,从上述合影图像减去甲状腺影像即可得到甲状旁腺影像
E. 以上都对
(1)试确定A,B;
(2)求P{0<X<a};
(3)求X的密度函数f(x).
A. 房室连接处心律
B. 二度莫氏Ⅰ型房室传导阻滞
C. 二度莫氏Ⅱ型房室传导阻滞
D. 阵发性室上性心动过速
E. 三度房室传导阻滞
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