更多“小平面相得长大属于（）晶核生长，它对凝固条件的反应（）”相关的问题
第1题
金属在凝固过程中，从微观角度看，其结晶过程包含哪些过程？
A.形成晶核
B.晶核长大
C.原子热运动
D.晶体同素异构转变
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第2题
薄膜生长初期，如果晶核尺寸超过临界晶核，则该晶核会 。
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第3题
焊接熔池结晶（一次结晶)的基本规律是（)的过程。A.晶核的形成和长大B.奥氏体转变为铁素体加珠光
焊接熔池结晶(一次结晶)的基本规律是()的过程。
A.晶核的形成和长大
B.奥氏体转变为铁素体加珠光体
C.液态熔渣凝固成固态
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第4题
电结晶过程有两种形式
A.形成晶核-长大形成晶体
B.表面积增加
C.体系的自由能增加
D.表面扩散-延续生长
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第5题
金属凝固过程中，晶核越多，晶核的生长速度越慢，则凝固后的晶体晶粒（）
A.不均匀；
B. 越细小；
C. 越粗大；
D. 越均匀
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第6题
金属凝固过程中，晶核越多，晶核的生长速度越慢，则凝固后的晶体晶粒（)
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第7题
金属晶体结晶时，晶核生长速率与动态过冷度成正比，则（)。
A.该晶核与液相的界面为粗糙界面
B.该晶核与液相的界面为光滑界面
C.该晶核藉由螺型位错长大
D.该晶核藉由孪晶界长大
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第8题
藉由螺型位错生长时的晶核长大速度（)。
A.比连续长大机制的快
B.比二维形核机制的慢
C.比二维形核机制的快，但比连续形核机制的慢
D.螺型位错的存在不影响晶核长大速度
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第9题
藉由
螺型位错生长时的晶核长大速度()。
A、比连续长大机制的快
B、比二维形核机制的慢
C、比二维形核机制的快，但比连续形核机制的慢
D、螺型位错的存在不影响晶核长大速度
第10题
核生长型薄膜生长的四个阶段分别是 。
A.凝聚成核
B.晶核长大并形成较大的岛
C.岛与岛之间聚接形成含有空沟道的网络
D.沟道被填充形成连续薄膜
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