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[主观题]

以p阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足？

提问人：网友zlycsxcn 发布时间：2022-01-07

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第1题

以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？并请提出改进方法。

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第2题

P衬N阱CMOS工艺中，Cascode放大器中两个尺寸相同且均工作在饱和区的NMOS管具有不相同的（）。

A. P衬N阱CMOS工艺中，Cascode放大器中两个尺寸相同且均工作在饱和区的NMOS管具有不相同的（

B. P衬N阱CMOS工艺中，Cascode放大器中两个尺寸相同且均工作在饱和区的NMOS管具有不相同的（

C. P衬N阱CMOS工艺中，Cascode放大器中两个尺寸相同且均工作在饱和区的NMOS管具有不相同的（

D. P衬N阱CMOS工艺中，Cascode放大器中两个尺寸相同且均工作在饱和区的NMOS管具有不相同的（

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第3题

P衬N阱CMOS工艺中，Cascode放大器中两个尺寸相同且均工作在饱和区的NMOS管具有不相同。

A. P衬N阱CMOS工艺中，Cascode放大器中两个尺寸相同且均工作在饱和区的NMOS管具有不相同。

B. P衬N阱CMOS工艺中，Cascode放大器中两个尺寸相同且均工作在饱和区的NMOS管具有不相同。

C. P衬N阱CMOS工艺中，Cascode放大器中两个尺寸相同且均工作在饱和区的NMOS管具有不相同。

D. P衬N阱CMOS工艺中，Cascode放大器中两个尺寸相同且均工作在饱和区的NMOS管具有不相同。

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第4题

最常见的集成电路通常采用（)工艺制造。

A.MOS

B.CMOS

C.Bipolar

D.BiCMOS

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第5题

N阱CMOS工艺中，为保证电路的功能，N阱接在电路的最低电位。

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第6题

简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤。

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第7题

画出双阱CMOS工艺剖面图

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第8题

简述双阱CMOS工艺制作CMOS反相器的工艺流程过程。

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第9题

2.写出单层多晶双层金属N阱CMOS工艺的主要流程

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第10题

4.在P阱CMOS集成电路中，管是做在P阱里。电连接时，P阱接电位。（10分）

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