场效应管按基本结构可以分为 和 两大类。

A. 结型场效应晶体管，简称JFET

B. 绝缘栅型场效应晶体管，简称JFET

C. 结型场效应晶体管JGFET

D. 绝缘栅型场效应晶体管JGFET

A. P沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管

B. P沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管

C. N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管

D. N沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管

A. P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管

B. B.增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管

C. C.N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管

D. D.N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管

A. 2

B. 3

C. 4

D. 5

B.可变电阻区和击穿区

C.饱和区和击穿区

D.可变电阻区、饱和区和击穿区

A、输入电阻大

B、噪声低

C、温度稳定性好

D、放大能力更好