题目内容（请给出正确答案）

[主观题]

通过改变VBE零点零几伏特，就能极大的改变基极电流。 By varying VBE only ___________, the base current（基极电流）can be changed significantly.

提问人：网友laiihcl 发布时间：2022-01-07

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第1题

已知8255端口地址为188～18BH，下面指令序列完成8255对于外部数据I/O端口的读写操作，其完成的功能是（）。 MOV AL，90H MOV DX，18BH OUT DX，AL MOV DX，188H IN AL，DX MOV DX，189H OUT DX，AL

A、读取PB端口的状态（高低电平），并将PA端口的状态通过PA端口输出。

B、读取PA端口的状态（高低电平），并将PA端口的状态通过PB端口输出。

C、读取PC端口的状态（高低电平），并将PA端口的状态通过PB端口输出。

D、读取PB端口的状态（高低电平），并将PA端口的状态通过PB端口输出。

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第2题

如图所示的三级放大电路，设场效应管T1的IDQ、[图]，三极...

如图所示的三级放大电路，设场效应管T1的IDQ、，三极管T2 和T3的VBEQ、β、rbe都已知，试对动态参数计算选择正确答案：（1）=（）（2）=（）

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第3题

设图中三极管为硅管，β=50，VBE(on)=0.7V，试通过估算判断它的静态工作点位于哪个区。（）

A、截止区

B、放大区

C、饱和区

D、其他三个答案均不正确

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第4题

硅三极管正常工作时的Ube变化范围在（）

A. 0.5~0.6V

B. 0.6~0.7V

C. 0.7~0.8

D. 0.8~0.9V

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第5题

两级功放原理电路如图NP1-17所示。试:(1)简述电路工作原理;(2)已知V_cc=|V_EE|，各管V_BE(on)相等，设各管基极电流不计，求I_CQ5(I_CQ6)及k_fv。表达式。

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第6题

15分）电路参数如图3-2所示，已知：|VA|=50V，β足够大，VBE=0.7V。求：（1）求IEE；（2）求gm、ro和双端输出的差模电压增益Avd；（3）忽略基区宽度调制效应，求单端输出的共模电压增益|Avcm|和CMRR。

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第7题

【单选题】BJT临界饱和的条件是: ( )

A、vCE=vBE

B、vCE<vbe<br> C、vCE>vBE

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第8题

在图示电路中晶体管的 [图]＝100，UBEQ＝0.7V，UCES＝0.5...

在图示电路中晶体管的＝100，UBEQ＝0.7V，UCES＝0.5V，电容的容抗可忽略不计。 1．估算静态时的ICQ、UCEQ； 2．如果逐渐增大正弦输入电压幅度，输出电压将首先出现饱和失真还是截止失真？ 3．为了获得尽量大的不失真输出电压，Rb应调整到多大（其它参数不变）？

A、A. ICQ=1.1mA；UCEQ=9.4V；首先产生饱和失真；Rb=754k。

B、B. ICQ=2.1mA；UCEQ=4.3V；首先产生饱和失真；Rb=754k。

C、C. ICQ=1.1mA；UCEQ=9.4V；首先产生截止失真；Rb=397k。

D、D. ICQ=2.1mA；UCEQ=4.3V；首先产生截止失真；Rb=397k。

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第9题

It is necessary to measure the potential difference across the terminals of the battery.

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第10题

A computer consists of several units.

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