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绘图题：画出QS1型西林电桥反接线测量tgδ时原理接线图。

提问人：网友ply52008 发布时间：2022-01-06

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第1题

绘图题：画出用QS1型西林电桥测量－tgδ的原理接线图（正接线）。

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第2题

绘图题：画出QS1型西林电桥的原理接线图（正接线）。

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第3题

为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时，采用正接线好？

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第4题

为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时，采用正接线好？

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第5题

变压器采用QS1型交流电桥反接线测量线圈绕组tgδ时，对于三线圈变压器试写出被试线圈及相应的接地部位。

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第6题

测试介质损失角正切时，QS₁型西林电桥有（）种接线方式。

A.二

B. 三

C. 四

D. 五

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第7题

采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有正接线及反接线。（)

采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有正接线及反接线。()

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第8题

写出用QS1型西林电桥测量－tgδ的换算公式（分流器在0.01档时）。

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第9题

当采用QS1型西林电桥，以低压电源、CN=0.01μF进行测量时，其Cx的可测范围是300pF～1000μF（3000pF

当采用QS1型西林电桥，以低压电源、CN=0.01μF进行测量时，其Cx的可测范围是300pF～1000μF(3000pF以下)。()

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第10题

用QS1型西林电桥测量介损时，怎样选择分流器位置？若被试品电容量约为4000pF（U＝10kV）分流器应在何位置？

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