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[主观题]

电路如图所示，β=50，rbe=1kω，rb1=60kω，rb2=20kω，rc=3kω，re=2kω，rl=6kω，vcc=12v 图中各电容足够大，忽略三极管基极和发射极之间的压降且ie≈ic，试求：（1）静态工作点；（2）画出微变等效电路；（3）交流电压放大倍数

电路如图所示，β=50，rbe=1kΩ，RB1=60kΩ，RB2=20kΩ，RC=3kΩ，RE=2kΩ，RL=6kΩ，Vcc=12V 图中各电容足够大，忽略三极管基极和发射极之间的压降且IE≈IC，试求：（1）静态工作点；（2）画出微变等效电路；（3）交流电压放大倍数

提问人：网友li_zhifu 发布时间：2022-01-07

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第1题

图示差分放大电路，若RS =1KΩ，RC = 5.1KΩ,Re=6.8KΩ,rbe1= rbe2=1.5KΩ,β=50，则当Uid=10mV时， Vo ≈( )。

A、-500mV

B、+500mV

C、-1V

D、+1V

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第2题

放大电路如图所示。已知图中Rb1=10kΩ，Rb2=2.5kΩ，Rc=2kΩ，Re=750Ω，RL=1.5kΩ，Rsi=10kΩ，VCC=15V，VBE=0.7V，β =150。设Cb1、Cb2、Ce都可视为交流短路，用小信号模型分析法可计算得电路的输入电阻Ri为_______。

A、0.6kΩ

B、0.85kΩ

C、1.47kΩ

D、2.5kΩ

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第3题

在如图所示放大电路中，已知UCC=12Ｖ，RB1=22ｋΩ，RB2=15ｋΩ，RC1= 3 kΩ，RE1=4ｋΩ，RB3=120ｋΩ，RE2=3ｋΩ，RL=3ｋΩ，硅晶体管的β1=β2=50，rbe1=rbe2= 1ｋΩ求（1）各级放大电路的静态工作点；（2）总的电压放大倍数；

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第4题

已知电路如图，Rg1=3MΩ，Rg2=1MΩ，连接在源极的电阻Rs =1kΩ, 负载电阻RL=1kΩ, VDD＝20V，场效应管的开启电压VT等于2V，IDO=4mA。以下说法正确的有：

A、该场效应管为增强型NMOS管。

B、该场效应管为增强型PMOS管。

C、电路组态是共源放大电路。

D、电路组态是共漏放大电路。

E、电路组态是共栅放大电路

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第5题

求图1（a）所示电路的等效电阻Rab（） [图]A、300ΩB、100ΩC...

求图1（a）所示电路的等效电阻Rab（）

A、300Ω

B、100Ω

C、500Ω

D、200Ω

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第6题

电路如图所示，UCC=12V，晶体管T的电流放大系数 β=50，RB = 300 kΩ，RC= 3 kΩ，晶体管T处于（）。

A、放大状态

B、截止状态

C、饱和状态

D、开关状态

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第7题

【单选题】在图示电路中，已知：Us= 24 V，R1= 20 欧，R2 = 30 欧，R3 = 15 欧，R4= 100 欧，R5 = 25 欧，R6= 8 欧。求Us的输出功率P。

A、12.5W

B、20W

C、24W

D、28.8W

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第8题

题7.4图(a)所示电路为集电极——基极偏置放大电路，设三极管的β值为50，V_CC=20V，R_C=10kΩ，R_B=330kΩ。

(1)估算电路的静态工作点;

(2)若接上2kΩ的负载电阻，计算电压放大倍数和输入电阻。

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