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[判断题]
理想的功率半导体器件应该是能承受高电压、大电流的器件。（)
提问人：网友Dume2020
发布时间：2022-01-06
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第5题
关于晶闸管，以下说法正确的是
A.作为半控器件，只能控制其关断，不能控制其导通
B.是电流驱动型器件
C.四层半导体结构，形成三个PN结
D.相较其他半导体器件，关断时间短
E.相较其他半导体器件，其所能承受的电压和电流容量高
F.电流定额中，维持电流大于擎住电流
第6题
兰州某地面卫星接收站为例，负载电压为12V，功率为25W，每天工作24h，最长连续阴雨天为15d，两最长连续阴雨天最短间隔天数为30d，太阳能电池承受云南半导体器件厂生产的38D975×400型组件，组件标准功率为38W，工作电压17.1V，工作电流2.22A蓄电池承受铅酸免维护蓄电池，浮充电压为（14±1）V。其水平面太阳辐射数据参照表1，其水平面的年平均日辐射量为12110（kJ/m2），Kop值为0.885，最正确倾角为16.13°，计算太阳能电池方阵功率及蓄电池容量？
第7题
微波武器的电效应是指高功率微波在射向目标时会在目标结构的金属表面或金属导线上感应出电流或电压，这种感应电压或电流会对目标上的电子元器件产生多种效应，如造成电路中器件的状态反转、器件性能下降、半导体结击穿等。
A．错误
B．正确
第8题
【多选题】关于功率MOS器件,以下说法中正确的是:（)
A.功率MOS器件也存在二次击穿现象。
B.功率MOS器件不可能出现二次击穿。
C.与功率BJT相比,功率MOS器件可承受高电压、大电流、开关速度快,适合高频工作。
D.与功率BJT相比,功率MOS器件的输入阻抗极高。
