题目内容
(请给出正确答案)
[主观题]
关于氧化沟工艺不正确的是()。A.可不设二沉池B.具有延时曝气活性污泥系统的一些特点C.氧化沟与二
关于氧化沟工艺不正确的是()。
A.可不设二沉池
B.具有延时曝气活性污泥系统的一些特点
C.氧化沟与二泥池合建,可省去污泥回流装置
D.一定要设二沉池
提问人:网友BlackITlxt
发布时间:2022-01-06
关于氧化沟工艺不正确的是()。
A.可不设二沉池
B.具有延时曝气活性污泥系统的一些特点
C.氧化沟与二泥池合建,可省去污泥回流装置
D.一定要设二沉池
A.氧化沟基本构造形式为环状沟渠型,可设计为单槽或多槽式
B.氧化沟内应设置水下推进器,水流状态为推流式
C.氧化沟一般按延时曝气设计,出水水质好
D.氧化沟可按A2/O法设计,能够脱氮除磷
关于高层建筑箱形基础设计,下列说法不正确的是()。
A.箱形基础的外墙应沿建筑的周边布置,可不设内墙
B.箱形基础的高度应满足结构的承载力和刚度要求,不宜小于3m
C.箱形基础的底板厚度不应小于300mm,顶板厚度不应小于200mm
D.箱形基础的底板和顶板均应采用双层双向配筋
下列哪一项关于超临界流体提取法的论述是不正确的
A.提取速度快,效率高
B.适用范围广
C.适于热敏性、易氧化的有效成分的提取
D.工艺简单
E.所得提取物纯度高
日处理能力在10万m3以下的污水处理设施,不可选用()处理工艺。
A.厌氧滤池
B.氧化沟法
C.SBR法
D.AB法
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