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附图差分放大电路中,哪个晶体管可能存在背栅效应?
[单选题]

附图差分放大电路中,哪个晶体管可能存在背栅效应?附图差分放大电路中,哪个晶体管可能存在背栅效应?

A.M1

B.M2

C.M3

D.M4

E.M5

提问人:网友肖和成 发布时间:2022-01-07
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第1题
附图共源放大电路中,哪个晶体管可能存在背栅效应?

A.M1

B.M2

C.M1和M2

D.都不存在背栅效应

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第2题
在典型差分放大电路中,[图]接在两个晶体管的发射极上,...

在典型差分放大电路中,接在两个晶体管的发射极上,所以它不能区分差模信号和共模信号。

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第3题
差分放大电路中,采用场效应管代替晶体管可提高输入电阻。
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第4题
请画出一个晶体管级的差分放大电路。
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第5题
差分放大电路如下图所示,已知晶体管的β=100,rbb'=200Ω,UBEQ=0.7V,试求:

差分放大电路如下图所示,已知晶体管的β=80,rbb'=200Ω,UBEQ=0.6V,试求:

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第6题
为了提高集成运放的输入电阻,在输入级采取的措施主要有()。

A.采用场效应管作为放大元件构成共源组态的差分放大电路

B.采用场效应管作为放大元件构成共栅组态的差分放大电路

C.采用共集-共基复合的差分放大电路

D.采用共基组态的差分放大电路

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第7题
附图共源放大电路中,晶体管的衬底应该如何连接?

A.M1和M2的衬底都接地

B.M1的衬底接地,M2 的衬底接VDD

C.M1的衬底接VDD,M2 的衬底接地

D.M1和M2的衬底都接VDD

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第8题
附图差分放大电路中,假设所有MOS晶体管都工作在饱和区。接下来,如果输入共模电压增大,可能会发生什么情况?

A.M1和M2进入线性区

B.M3和M4进入线性区

C.M5进入线性区

D.以上都不是

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第9题
差分放大电路如图所示,差模电压放大倍数等于()。 [图]...

差分放大电路如图所示,差模电压放大倍数等于()。

A、

B、

C、

D、0

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第10题
差分放大电路如图所示。

A.

B.

C.

D.

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