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标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。
提问人：网友linzju
发布时间：2022-01-07
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A.1V
B.7V
C.10V
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第2题
以npn型双极型晶体管为例，以下关于发射区重掺杂效应的说法中错误的是（）。
A、发射区重掺杂导致杂质能级分裂，禁带宽度变窄，
增大
B、发射区重掺杂导致电子浓度升高，
增大，发射效率提高
C、俄歇复合增强，空穴寿命减小，扩散长度减小，增大
D、考虑发射效率公式，放大系数减小
第3题
以npn型双极型晶体管为例，以下关于发射区重掺杂效应的说法中错误的是（)。
A.发射区重掺杂导致杂质能级分裂，禁带宽度变窄，增大
B.发射区重掺杂导致电子浓度升高，增大，发射效率提高
C.俄歇复合增强，空穴寿命减小，扩散长度减小，增大
D.考虑发射效率公式，放大系数减小
第5题
NPN双极型晶体管具有放大作用，要求基区宽度足够小。原因不包括（）。
A.减少在基区中复合的电子数
B.使得从发射区注入基区的载流子绝大部分可到达集电区
C.基区中空穴的扩散长度很小
D.使绝大多数电子可通过基区达到集电结边界
第6题
NPN双极型晶体管具有放大作用，要求基区宽度足够小。原因不包括（)。
A.减少在基区中复合的电子数
B.使得从发射区注入基区的载流子绝大部分可到达集电区
C.基区中空穴的扩散长度很小
D.使绝大多数电子可通过基区达到集电结边界
；当基极开路时，集电极-发射级的反向电流定义为
。β为共射级电流放大系数。则
