题目内容
（请给出正确答案）
考虑一个N沟道MOSFET，其![考虑一个N沟道MOSFET，其[图]，Vt=1V，以及W/L=10。求漏极...考虑一个N沟道MOS](http://static.jiandati.com/3648fbf-chaoxing2016-500125.png)
，Vt=1V，以及W/L=10。求漏极电流： （1）![考虑一个N沟道MOSFET，其[图]，Vt=1V，以及W/L=10。求漏极...考虑一个N沟道MOS](http://static.jiandati.com/3c3572b-chaoxing2016-500126.png)
且![考虑一个N沟道MOSFET，其[图]，Vt=1V，以及W/L=10。求漏极...考虑一个N沟道MOS](http://static.jiandati.com/5d8337b-chaoxing2016-500127.png)
，则漏极电流ID=（）mA； （2）![考虑一个N沟道MOSFET，其[图]，Vt=1V，以及W/L=10。求漏极...考虑一个N沟道MOS](http://static.jiandati.com/3584e4f-chaoxing2016-500128.png)
且![考虑一个N沟道MOSFET，其[图]，Vt=1V，以及W/L=10。求漏极...考虑一个N沟道MOS](http://static.jiandati.com/98545e5-chaoxing2016-500129.png)
，则漏极电流ID=（）mA；
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考虑一个N沟道增强型MOSFET，其
,
,以及
.求下列情况下的漏极电流： （1）
且
； （2）
且
； （3）
且
； （4）
。
A.当栅极电压为零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。
B.当栅极电压小于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。
C.当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。
D.当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间不能导通。
A.(a)N沟道耗尽型MOSFET,(b)N沟道增强型MOSFET, (c)P沟道耗尽型MOSFET,(d)P沟道增强型MOSFET;
B.(a)N沟道增强型MOSFET,(b)N沟道耗尽型MOSFET, c)P沟道耗尽型MOSFET,(d)P沟道增强型MOSFET;
C.(a)N沟道耗尽型MOSFET,(b) N沟道增强型MOSFET, (c)P沟道增强型MOSFET,(d)P沟道耗尽型MOSFET;
D.(a)N沟道JFET, (b) N沟道增强型MOSFET, (c)P沟道JFET, (d)P沟道增强型MOSFET;
A.P沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFET
B.P沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；结型N沟道
C.N沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFET
D.N沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET； N沟道结型
A.N沟道JFET,N沟道增强型MOSFET,P沟道耗尽型MOSFET;
B.N沟道JFET,N沟道耗尽型MOSFET,P沟道耗尽型MOSFET;
C.N沟道JFET,N沟道耗尽型MOSFET,P沟道增强型MOSFET;
D.P沟道JFET,N沟道耗尽型MOSFET,P沟道增强型MOSFET。
【单选题】下图所示器件名称为（）
A、N沟道增强型MOSFET
B、P沟道增强型MOSFET
C、P沟道耗尽型MOSFET
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