题目内容（请给出正确答案）

晶闸管的门极与阴极间内部是一个PN结，判断方法与判断硅二极管极性的方法相同。万用表的欧姆倍率挡使用也相同（）

[判断题]

晶闸管的门极与阴极间内部是一个PN结，判断方法与判断硅二极管极性的方法相同。万用表的欧姆倍率挡使用也相同（）

提问人：网友154336271 发布时间：2023-03-30

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第1题

晶闸管是一个四层三端元件，其内部有三个PN结，三端的名称分别是（）

A.阳极

B.阴极

C.门极

D.负极

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第2题

晶闸管是一个四层三端元件，其内部有三个PN结，三端的名称分别是（)

A.阳极

B.阴极

C.基极

D.门极

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第3题

晶闸管内部由半导体材料构成一个三端结构，共形成 PN结，引出、和门极G三端。

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第4题

晶闸管具有三个PN结，引出三个极，分别是阳极、阴极（）

A.基极

B.集电极

C.门极

D.发射极

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第5题

以下关于典型全控型器件描述不正确的是（）

A.GTO和普通晶闸管一样,外部也是引出阳极、阴极和门极。

B.GTR是由三层半导体形成的两个PN结构成,分别引出集电极、基极和发射极个引脚。

C.电力MOSFET也是多元集成结构,引出基极、漏极、源极。

D.IGBT是三端器件,具有栅极、集电极和发射极。

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第6题

以下关于典型全控型器件描述不正确的是（）

A.GTO和普通晶闸管一样,外部也是引出阳极、阴极和门极。

B.GTR是由三层半导体形成的两个PN结构成,分别引出集电极、基极和发射极个引脚。

C.电力MOSFET也是多元集成结构,引出基极、漏极、源极。

D.IGBT是三端器件,具有栅极、集电极和发射极。

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第7题

处于阻断状态的晶闸管，只有在阳极与阴极间加正向电压，且在门极与阴极间作何处理才能使其开通（）

A.并联一个电容

B.串联一个电感

C.加正向触发电压

D.加反向触发电压

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第8题

晶闸管是具有3个PN结、阴极、阳极和(_ _ _)极的硅半导体器件

晶闸管是具有3个PN结、阴极、阳极和（_ _ _)极的硅半导体器件

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第9题

晶闸管是具有(_ _ _)个PN结、阴极、阳极和控制极的硅半导体器件

晶闸管是具有（_ _ _)个PN结、阴极、阳极和控制极的硅半导体器件

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第10题

晶闸管有阳极、阴极和控制极，其内有四层PNPN半导体，（）个PN结。

A.2个

B. 3个

C. 4个

D. 5个

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第11题

晶闸管有阳极、阴极和控制极，其内有四层PNPN半导体，（）个PN结

A.2个

B.3个

C.4个

D.5个

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